В работе представлены вольт-амперные характеристики резонансно-туннельных диодов со спейсерами. Рассмотрена теоретическая модель для описания туннелирования через две ямы. Теоретически изучено влияние электронного рассеяния на туннелирование электронов. Получены универсальные выражения, описывающие как когерентное, так и последовательное туннелирование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.