"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотодиодные МПМ структуры с низкой величиной плотности темнового тока
Аверин С.В.1, Новиков С.В.1, Мескида-Кюстерс А.1, Потапов В.Т.1, Хейме К.1, Царев А.Н.1, Шмарцев Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 30 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Использование эпитаксиальных слоев GaAs : Bi, легированных изовалентными примесями, приводит к существенно лучшим электрическим характеристикам изготовленных на их основе быстродействующих фотодиодных структур типа МПМ, в частности, к меньшим величинам плотности темнового тока показателя "идеальности" ВАХ и большей величине напряжения лавинного пробоя. Применение таких структур в различных оптоэлектронных устройствах обеспечит их лучшие шумовые характеристики.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.