"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлектрически активные и неактивные медленные центры прилипания электронов в кристаллах ZnSe
Ризаханов М.А.1, Хамидов М.М.1
1Дагестанский государственный медицинский институт, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 1990 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1993 г.

Методами термостимулированных токов и индуцированной примесной фотопроводимости в кристаллах ZnSe исследованы медленные центры прилипания электронов, для которых отношение скорости прилипания к скорости рекомбинации R<<1. Наряду с центрами прилипания электронов с уровнем Ec-0.22 эВ, которые фотоэлектрически активны и могут быть причислены к типичным локальным центрам в полупроводниках, обнаружены электронные ловушки, проявляющие ряд нетривиальных особенностей. Им свойственна система одновременно наблюдаемых уровней Ec-(0.1/0.56) эВ, для которых плотность распределения и сечение захвата электрона растут по мере увеличения их энергии ионизации по отношению к зоне проводимости. В измерениях индуцированной примесной фотопроводимости в широких температурном и спектральном диапазонах эти центры не обнаружены.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.