"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронная структура примесей редкоземельных элементов в соединениях AIIIBV О б з о р
Мастеров В.Ф.1
1Санкт-Петербургский технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.

Дан обзор результатов исследований полупроводников AIIIBV, легированных редкоземельными элементами, методами ЭПР, ОДМР, ФЛ и обратного розерфордовского рассеяния. Обсуждаются возможные положения атомов редкоземельных элементов в решетке различных полупроводников и их электронная структура. Приведена простая теоретическая модель редкоземельного центра замещения в бинарных полупроводниках. Рассмотрен возможный механизм возбуждения f-f-переходов с участием оже-рекомбинации электронно-дырочной пары в связанном на редкоземельном центре экситоне. Предложены пути развития дальнейших исследований полупроводников АIIIBV, легированных редкоземельными элементами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.