"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Поверхностные свойства пленок a-Si : H
Данишевский А.М.1, Латинис В.1, Коньков О.И.1, Теруков Е.И.1, Мездрогина М.М.1, Чусовитин М.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.

Исследованы свойства поверхности достаточно толстых (около 1 мкм) пленок a-Si : H. Показано, что пористая структура поверхности пленок приводит к появлению широкой полосы коротковолновой люминесценции и спаду коротковолновой фотопроводимости. В однородных (бесстолбчатых) пленках, имеющих ультрафиолетовую фотопроводимость, указанная полоса люминесценции отсутствует.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.