"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs : Si, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Абрамов А.П.1, Абрамова И.Н.1, Вербин С.Ю.1, Герловин И.Я.1, Григорьев С.Р.1, Игнатьев И.В.1, Каримов О.3.1, Новиков А.Б.1, Новиков Б.В.2
1Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

При T=4.2 K исследованы спектры люминесценции эпитаксиальных слоев GaSs, легированных Si в широком диапазоне концентраций свободных носителей 1016/7.8·1018 см-3. Наблюдаемая асимметричная полоса приписана процессам рекомбинации вырожденного электронного газа с локализованными фотодырками. Сделан вывод о том, что свойства электронного газа в сильно легированных полупроводниковых эпитаксиальных слоях GaAs определяются не столько видом легирующей примеси, сколько условиями выращивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.