"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анизотропия фотопроводимости в монокристаллах GeS
Алекперов О.3.1, Гамзаев Д.О.1, Кулибеков А.М.1, Сулейманов Р.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 24 февраля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Исследованы спектры фотопроводимости (ФП) слоистого полупроводника GeS при различных поляризациях падающего излучения (E|| a, E|| b) и различной ориентации приложенного электрического поля (F|| a, F|| b). Установлено, что для спектров ФП GeS характерно свойственное многим слоистым полупроводникам "попарное" расположение особенностей, по-разному поляризованных. Показано, что ФП в GeS является "горячей", что позволяет установить анизотропию проводимости для различных электронных состояний по спектрам ФП.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.