"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Памяти Дмитрия Николаевича Наследова Полупроводники II-IV-V2
Кесаманлы Ф.П.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1993 г.

Представлен обзор исследований в области технологии и физики тройных соединений типа II-IV-V2, являющихся ближайшими кристаллохимическими и электронными аналогами полупроводников III-V. Обсуждены вопросы управления физическими параметрами этих полупроводников путем введения примесей, облучения высокоэнергетическими частицами и контролирования отклонений от стехиометрического состава. Основное внимание уделено новым относительно бинарных аналогов III-V закономерностям физических явлений в тройных соединениях. Определены также актуальные аспекты новых практических применений полупроводников II-IV-V2 в полупроводниковой электронике.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.