"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9836
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
179

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
35
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
33
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
32
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
28
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
27
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
26
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
26
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
25
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
24
Стационарные люкс-амперные характеристики компенсированных кристаллов при произвольном уровне возбуждения
24
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC
24
Эффекты деполяризации и фотоионизация квантовых ям
24
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
24
Влияние всестороннего давления на подвижность электронов и корреляционные свойства системы примесей железа со смешанной валентностью в кристаллах HgSe : Fe
23
Нестационарный фотоэффект в высокоомных чистых сильно смещенных структурах металл--полупроводник и металл--диэлектрик--полупроводник
23
О поперечной устойчивости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
23
Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов
22
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
21
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
21
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
21
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
3428
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
1896
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
1682
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
1643
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1516
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
1513
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
1493
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
1430
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
1415
Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe
1405
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
1392
Анизотропные термоэлементы О б з о р
1373
Фотолюминесценция пористого арсенида галлия
1347
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
1329
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
1318
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1286
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
1282
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
1244
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
1234
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
1230
Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
1226
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния
1218
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
1216
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
1194
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
1185
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
1173
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
1170
Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов
1155
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
1149
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
1144
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
1129
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
1125
Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
1114
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
1112
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
1112
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
1105
Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии
1099
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1083
Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа
1064
Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe
1054
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
1053
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
1046
Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния
1043
Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия
1042
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
1041
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
1030
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
1029
Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена
1024
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
1021
Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb
1019
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Полянская Т.А.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физикотехнический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Крещук А.М.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилова Т.Н.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнов И.Ю.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Степанов М.В.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Копылов А.А.
Электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
101
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
26
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
9
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
2
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Львовский государственный институт им. Ив. Франко, Львов, Украина
1
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
1
Физико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1
Cree Research EED Inc., Санкт-Петербург, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme