Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет им И. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Калинкин И.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Голант Е.И.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Пашковский А.Б.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неклюдов П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Копылов А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гук Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечников С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Рыльков В.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мусихин С.Ф.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Харус Г.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Каверцев С.В.
Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Демидов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гадияк Г.В.
Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Малютенко В.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шикин В.Б.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Аллен Т.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бугров В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Трубенко П.А.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Дианов Е.М.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Щербаков Е.А.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Bimberg D.
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штрапенин Г.Л.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатиринбург, Россия
2
Мясников А.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Серяпин В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фомин Б.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Черепов Е.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Каримов М.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Оксенгендлер Б.Л.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Талипов Ф.М.
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
2
Петухов В.Ю.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Ботнарюк В.М.
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чуприков Н.Л.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Свердлова А.М.
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Вирт И.С.
Дрогобычский государственный педагогический институт им.И.Франко, Дрогобыч, Украина
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Качлишвили Х.З.
Тбилисский университет, Грузия
2
Чумбуридзе Ф.Г.
Тбилисский университет, Грузия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бестаев М.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Некрасова А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белявский В.И.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Гольдфарб М.В.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Копаев Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Георгиевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кавокин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Галяутдинов М.Ф.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Курбатова Н.В.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Штырков Е.И.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Пешев В.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Туркин А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Холодилов А.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Любченко А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соколовский Б.С.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Дьяконов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каган В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Суслов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рогачев А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ормонт Н.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Веденеев А.С.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилов С.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочегаров Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Петрович Т.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Поляков С.В.
Институт математического моделирования Российской академии наук, Москва, Россия
1
Котельников Е.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мельничук С.В.
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Мельник Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шербан Д.А.
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Мнацаканов Т.Т.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
1
Федоренко Я.Г.
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
1
Энтин М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Маренкин С.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Плесков Ю.В.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Пономарев А.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
до Кармо М.Ц.
Университет Авейро, Авейро, Португалия
1
Феррари А.
Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Universita "La Sapienza", 18-- Roma, Itali
1
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук