"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10123
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
157

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
64
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
24
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
23
Особенности комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
23
Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
22
Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe
20
Оптические свойства тонких эпитаксиальных слоев n-Pb1-xSnxSe/BaF2 в области плазмон-фононного взаимодействия
19
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
19
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
19
Фотолюминесценция пористого арсенида галлия
18
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
15
Анизотропные термоэлементы О б з о р
14
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
14
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
14
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
14
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
13
Преобразование центров красной и инфракрасной люминесценции при электронном облучении и отжиге монокристаллов CdS и CdS : Cu
13
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
13
Аномальные магнитные свойства твердых растворов (InSb)1-x(CdTe)x при низких температурах
13
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
12
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
4461
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
2484
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
2263
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
2239
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
2143
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
2143
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
2063
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
1931
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
1885
Анизотропные термоэлементы О б з о р
1842
Фотолюминесценция пористого арсенида галлия
1817
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
1809
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
1797
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
1763
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
1760
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1729
Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe
1715
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
1701
Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
1678
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
1611
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
1611
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния
1598
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
1572
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
1563
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
1557
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
1530
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
1525
Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов
1486
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
1472
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1471
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
1458
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
1453
Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии
1445
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
1438
Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
1430
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
1418
Времена рассеяния частицы на одномерных потенциальных барьерах
1416
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
1412
Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению
1393
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
1383
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
1372
Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния
1354
Релаксационные свойства контакта металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
1351
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
1346
Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена
1344
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
1344
Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правила отбора
1344
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
1342
Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y
1341
Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl
1338
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Степанов М.В.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копылов А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Гук Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
106
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
26
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
9
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
2
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme