"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10546
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
45
Распределение количества просмотров по годам:
558304
525094
509194
457064
395069
379935
350428
311052
383357
486715
481220
439646
439277
447510
430834
444343
465302
473667
414932
442096
413750
531521
541689
533257
508000
551642
555038
534664
507036
463212
362161
258552
137400
46531
2384
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
195
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
279
274
295
249
323
261
57

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет им И. Джавахишвили, Тбилиси, Грузия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Рубец В.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Калинкин И.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Голант Е.И.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Пашковский А.Б.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Глинчук К.Д.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Прохорович А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неклюдов П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Копылов А.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крещук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гук Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечников С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Рыльков В.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Берман Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мусихин С.Ф.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Харус Г.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Каверцев С.В.
Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Инсититут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Демидов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гадияк Г.В.
Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Малютенко В.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шикин В.Б.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Аллен Т.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бугров В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Трубенко П.А.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Дианов Е.М.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Щербаков Е.А.
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Bimberg D.
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штрапенин Г.Л.
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатиринбург, Россия
2
Мясников А.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Ободников В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Серяпин В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фомин Б.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Черепов Е.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Каримов М.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Оксенгендлер Б.Л.
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Талипов Ф.М.
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
2
Петухов В.Ю.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Хайбуллин И.Б.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Ботнарюк В.М.
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чуприков Н.Л.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слободчиков С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Салихов Х.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Руссу Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Свердлова А.М.
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Вирт И.С.
Дрогобычский государственный педагогический институт им.И.Франко, Дрогобыч, Украина
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Качлишвили Х.З.
Тбилисский университет, Грузия
2
Чумбуридзе Ф.Г.
Тбилисский университет, Грузия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бестаев М.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им.Л.Украинки, Луцк, Украина
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Некрасова А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Белявский В.И.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Гольдфарб М.В.
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Копаев Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Георгиевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кавокин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Галяутдинов М.Ф.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Курбатова Н.В.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Штырков Е.И.
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Шелушинина Н.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гольдберг Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Пешев В.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудряшов В.Е.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Туркин А.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Холодилов А.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Любченко А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соколовский Б.С.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Дьяконов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Каган В.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Суслов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рогачев А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мозоль П.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Коваленко А.В.
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ормонт Н.Н.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Аронзон Б.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Веденеев А.С.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Гольдман Е.И.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилов С.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочегаров Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Петрович Т.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Поляков С.В.
Институт математического моделирования Российской академии наук, Москва, Россия
1
Котельников Е.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мельничук С.В.
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Мельник Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шербан Д.А.
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Мнацаканов Т.Т.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
1
Федоренко Я.Г.
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
1
Энтин М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Маренкин С.Ф.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Плесков Ю.В.
Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН, Москва, Россия
1
Пономарев А.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
до Кармо М.Ц.
Университет Авейро, Авейро, Португалия
1
Феррари А.
Dipartimento di Ingegneria Elettronica, Universita "La Sapienza", 18-- Roma, Itali
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
106
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
26
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
9
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
2
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт вычислительных технологий СО РАН, Новосибирск, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Институт ядерной физики АН Республики Узбекистан, Улугбек, Ташкент, Узбекистан
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2