"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9784
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
127

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
36
Исследование пористого кремния, полученного имплантацией ионов криптона и лазерным отжигом
22
Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
21
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
20
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
20
Об электрических и фотоэлектрических свойствах структуры Pd-- p0-Si--p-Si с разупорядоченным промежуточным p0-слоем
19
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
19
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
19
Спектры фотолюминесценции и фотовозбуждения пористого кремния, подвергнутого анодному окислению и травлению
18
Определение параметров двумерного электронного газа в гетероструктурах GaAs / AlGaAs бесконтактным способом
18
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
18
Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах
18
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
18
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
18
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
18
Спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов на карбиде кремния
17
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
17
Термическая стабильность массивов вертикально совмещенных квантовых точек InAs--GaAs
16
Волноводные свойства гетероструктур на основе нитридов галлия, алюминия и индия
16
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC
16
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
3280
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
1790
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
1603
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
1553
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1456
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
1438
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
1379
Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe
1357
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
1352
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
1350
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
1315
Анизотропные термоэлементы О б з о р
1309
Фотолюминесценция пористого арсенида галлия
1279
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
1256
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
1250
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
1211
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1210
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
1187
Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
1178
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
1173
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния
1152
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
1149
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
1145
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
1115
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
1113
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
1109
Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов
1096
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
1093
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
1091
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
1081
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
1068
Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
1062
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
1060
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
1059
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
1057
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
1055
Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии
1044
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1022
Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа
1015
Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe
1001
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
997
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
997
Гашение атомами меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в арсениде галлия
989
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
988
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
983
Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния
977
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
970
Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb
968
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
966
Экситонные эффекты в фотопроводимости квантово-размерных структур GaxIn1-xAs/InP
962
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Полянская Т.А.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физикотехнический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Голант Е.И.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Пашковский А.Б.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечников С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический инстититут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Власенко З.К.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Неклюдов П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крестников И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Петров В.Н.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данилова Т.Н.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляев А.П.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
101
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
26
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
11
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
9
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
2
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Львовский государственный институт им. Ив. Франко, Львов, Украина
1
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
1
Физико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1
Cree Research EED Inc., Санкт-Петербург, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme