"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1997 год:
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
64
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
35
Оптические свойства квазипериодических и апериодических сверхрешеток PbS--CdS
33
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
30
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
25
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
24
Глубокие уровни вакансий в сверхрешетке (AlAs)1(GaAs)3
24
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
23
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
23
Электронная структура комплекса Er--O6 в кремнии
22
Влияние ультразвуковой обработки на деформационные эффекты и структуру локальных центров в подложке и приконтактных областях структур M/n-n+-GaAs (M=Pt, Cr, W)
21
Спектры пробойной электролюминесценции p-n-переходов на карбиде кремния
20
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
20
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
20
Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs
20
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
19
Свойства легировнных теллуром монокристаллов антимонида галлия, выращенных из нестехиометрического расплава
19
Нелинейная проводимость и вольт-амперные характеристики двумерных полупроводниковых сверхрешеток
19
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
19
Спектральные, энергетические и временные характеристики двухфотонно-возбуждаемой флуоресценции монокристалла ZnSe в голубой области спектра
18
Статья
Просмотров
Диффузия бора и фосфора в кремнии при высокотемпературной ионной имплантации
3115
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
1669
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
1518
Разогрев двумерного электронного газа электрическим полем поверхностной акустической волны
1452
Туннельные эффекты в светодиодах на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
1369
Фотоэлектрические и радиационные характеристики кремниевых солнечных элементов при повышенных освещенностях и температурах
1356
Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd1-xMnxTe
1300
Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения
1267
Твердый раствор InxGa1-xAsySbzP1-y-z: новый материал инфракрасной оптоэлектроники I. Термодинамический анализ условий получения твердых растворов, изопериодных подложкам InAs и GaSb, методом жидкофазной эпитаксии
1266
Латеральное объединение вертикально связанных квантовых точек
1256
Анизотропные термоэлементы О б з о р
1256
Фотолюминесценция пористого арсенида галлия
1208
Эффект "кулоновской ямы" в спектрах поглощения и магнитопоглощения напряженных гетероструктур (In,Ga)As/GaAs
1208
Фотолюминесценции слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
1183
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
1165
Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x=0.22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
1128
Расчет уровней размерного квантования в напряженных ZnCdSe/ZnSe квантовых ямах
1123
Экстракция носителей заряда в полупроводниках с монополярной компонентой фотопроводимости
1123
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
1106
Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах
1103
Характеризация макродефектов в пленках карбида кремния из данных рентгеновской топографии и комбинационного рассеяния
1091
Пассивация GaAs в спиртовых растворах сульфида аммония
1071
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
1044
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
1033
Сравнение подвижности равновесных и неравновесных носителей заряда в пленках поликристаллического синтетического алмаза и аморфного алмазоподобного углерода
1031
Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП структур с окислами редкоземельных элементов
1022
Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
1017
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
1016
Фотоакустическая спектроскопия пористого кремния
1013
Рекомбинационная модель диффузии цинка в GaAs
1005
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
1002
Резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным электрическим полем в несимметричных двухбарьерных структурах
999
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
993
Рекомбинация в области пространственного заряда и ее влияние на коэффициент передачи биполярного транзистора
990
О фотоупругости и квадратичной диэлектрической восприимчивости широкозонных полупроводников
983
Изменение оптических свойств пористого кремния вследствии термического отжига в вакууме
978
Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии
974
Исследование гетероэпитаксиальных структур { p-3C/n-6H}-SiC
944
Спектры люминесценции голубых и зеленых светодиодов на основе многослойных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN с квантовыми ямами
944
Высокотемпературный отжиг и ядерное легирование GaAs, облученного реакторными нейтронами
941
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
941
Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe
933
Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа
930
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
914
Термодинамический анализ процесса роста четверных соединений AIIIBV при молекулярно-пучковой эпитаксии на примере соединений GaxIn1-xPyAs1-y
912
Скорость излучательной рекомбинации в квантово-размерных структурах в модели без правила отбора
911
Фотолюминесценция квантовых точек InSb в матрицах GaAs и GaSb
900
Влияние неоднородностей кристаллов Bi2Te3 на поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена
899
Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии
896
Влияние рассогласования параметров решеток на структурные, оптические и транспортные свойства слоев InGaAs, выращиваемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках InP (100)
896
Автор
Организация
Статей
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
16
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
15
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
12
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
7
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
6
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Полянская Т.А.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Качлишвили З.С.
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рыльков В.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Зегря Г.Г.
Физикотехнический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Насрединов Ф.С.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Рябова Л.И.
Московский государственный университет им М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Бугров В.Е.
Физико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
3
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Зубрилов А.С.
Физико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
3
Голант Е.И.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Данилова Т.Н.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Данишевский А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечников С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пашковский А.Б.
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Дричко И.Л.
Физико-технический инстититут им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неклюдов П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Оболенский О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитическогоо приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Гук Е.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
61
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
26
Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
23
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
10
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
5
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
3
Научно-исследовательский институт "Исток", Фрязино, Россия
3
Санкт-Петербургский технологический институт, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
3
Ташкентский государственный университет, Ташкент, Узбекистан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
2
Institute fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
2
Научный центр волоконной оптики при Институте общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Москва, Россия
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, Томск, Россия
2
Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Саратовский государственный университет, Саратов, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
2
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук Санкт-Петербург, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет, Москва, Россия
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Львовский государственный институт им. Ив. Франко, Львов, Украина
1
Новгородский государственный университет, Новгород, Россия
1
Физико-технический инстритут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme