"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии
Будагян Б.Г.1, Айвазов А.А.1, Мейтин М.Н.1, Сазонов А.Ю.1, Бердников А.Е.2, Попов А.А.2
1Московский институт электронной техники (Технический университет), Москва, Россия
2Институт микроэлектроники Российской академии наук, Ярославль, Россия
Поступила в редакцию: 14 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Проведено исследование кинетики структурной релаксации в аморфном гидрогенизированном кремнии a-Si : H, осажденном различными методами, с помощью дифференциальной сканирующей калориметрии. Полученные экспериментальные результаты были использованы для анализа природы метастабильных состояний в a-Si : H и исследования связи между структурной релаксацией и светоиндуцированной метастабильностью (эффект Стеблера--Вронского).
  1. S.R. Wronski. Sol. St. Techn. 31, 113 (1988)
  2. J.B. Boyce, S.E. Ready, M. Stutzmann, R.E. Norberg. J. Non-Cryst. Sol., 114, 211 (1989)
  3. S.M. Lee, S.J. Jones, Yu.-M. Li, W.A. Turner, W. Paul. Phil. Mag. B, 61, 547 (1989)
  4. P. Roca i Cabarrocas, Z. Djebbour, J.P. Kleider, C. Longeaud, D. Mencaraglia, J. Sib, I. Bouizem, M.L. Theye, G. Sardin, J.P. Stoquert. J. Phys. I, 2, 1979 (1992)
  5. W. Paul, S.J. Jones, W.A. Turner. Phil. Mag. B, 63, 247 (1991)
  6. F. Demichelis, C.F. Pirri, E. Tresso, V. Rigato, G. DellaMea. J. Non-Cryst. Sol., 128, 133 (1991)
  7. L. Battezzati, F. Demichelis, C.F. Pirri, E. Tresso. Physica B, 176, 73 (1992)
  8. N. Sridhar, D.D.L. Chung, W.A. Anderson, J. Coleman. In: Amorphous Silicon Technology-1995, ed. by E.A. Schiff et al. (MRS Symp. Proc., Pittsburgh) 377, 319 (1995)
  9. A.A. Aivazov, B.G. Budaguan, A.Yu. Sazonov. Physica B, 193, 195 (1994)
  10. M. Cardona. Phys. St. Sol. (B), 118, 463 (1983)
  11. A. Canillas, J. Campmany, J.L. Andujar, E. Bertran. Thin. Sol. Films, 228, 109 (1993)
  12. J.C. Knights, K.A. Lujan, M.P. Rosenblum, R.A. Street, D.K. Biegelsen, J.A. Reimer. Appl. Phys. Lett., 38, 331 (1981)
  13. B.G. Budaguan, A.A. Aivazov, A.Yu. Sazonov. In: Amorphous Silicon Technology-1996, ed. by M. Hack et al. (MRS Symp. Proc., Pittsburgh) 420, 635 (1996)
  14. W. Beyer, H. Wagner. J. Appl. Phys., 53, 8745 (1982)
  15. H.E. Kissinger. Anal. Chem., 32, 1702 (1957)
  16. S.J. Jones, S.M. Lee, W.A. Turner, W. Paul. MRS Symp. Proc., 149, 45 (1989)
  17. G. Schumm. Appl. Phys. Lett., 66, 2706 (1995)
  18. B.G. Budaguan, O.N. Stanovov, M.N. Meytin. J. Non-Cryst. Sol., 163, 297 (1993)
  19. J. Kakalios, W.B. Jackson. In: Amorphous Silicon and Related Materials, ed. by H. Fritzsche (World Scientific, New Jersey, 1988) p. 207

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.