"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоиндуцированные процессы в пленках a-Si : H при повышенных температурах
Курова И.А.1, Ларина Э.В.1, Ормонт Н.Н.1, Сенашенко Д.В.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Обнаружено, что при температурах T>120oC кинетика изменения темновой проводимости (sigmad) нелегированных и легированных бором пленок a-Si : H во время и после освещения немонотонна: имеются быстрый и медленный процессы изменения sigmad разного знака. Изменением длительности и интенсивности освещения или температуры пленки можно выделить быстрый или медленный процессы релаксации sigmad, которые описываются растянутой экспонентой. Немонотонная релаксация sigmad описывается суммой двух растянутых экспонент, параметры которых tau,beta зависят от характеристик пленки, а также от температуры, времени и интенсивности освещения. Обсуждается природа немонотонной релаксации.
  1. M. Stutzmann, N.B. Jackson, C.C. Tsai. Phys. Rev. B, 32, 23 (1985)
  2. E. Eser. J. Appl. Phys., 59, 3508 (1986)
  3. P. Stradins, H. Fritzsche. Phil. Mag. B, 69, 121 (1994)
  4. B. Aker, H. Fritzsche. J. Appl. Phys., 54, 6628 (1983)
  5. И.А. Курова, Д.А. Мочалова. ФТП, 23, 573 (1989)
  6. X.M. Dong, H. Fritzsche. Phys. Rev. B, 36, 9378 (1987)
  7. J. Jang, S.C. Park, S.C. Kim, C. Lee. Appl. Phys. Lett., 51, 1804 (1987)
  8. R.A. Street. Solar Cells, 24, 211 (1988)
  9. K. Takeda, H. Hikita, Y. Kimura, H. Yokomichu, K. Morigaki. J. Non-Cryst. Sol., 198--200, 486 (1996)
  10. P.E. Vanier, A.E. Delahoy, R.W. Griffith. J. Appl. Phys., 52, 5235 (1981)
  11. R.S. Crandall. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
  12. H.M. Branz, M. Silver. J. Non-Cryst. Sol., 114, 639 (1989)
  13. M.W. Casrlen, Y. Xu, R.S. Crandall. Phys. Rev. B, 51, 2173 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.