"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов
Аронзон Б.А.1, Бакаушин Д.А.1, Веденеев А.С.1, Рыльков В.В.1, Сизов В.Е.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых --- на основе GaAs с повышенной (более 1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэлектрике. Обнаружена особенность Nss в виде пика, выраженная тем более отчетливо, чем ниже температура, выше концентрация встроенного заряда и короче затвор. Безотносительно к изменению перечисленных параметров, а также толщины подзатворного диэлектрика и отношения длины канала к его ширине этот пик проявляется при одних и тех же значениях проводимости каналов G~ q2/h. При этом энергетическая глубина пика плотности состояний (~ 40/ 120 мэВ) изменяется пропорционально T, что выходит за рамки представлений о пограничных состояниях, обусловленных как сильным флуктуационным потенциалом, так и дефектами и ловушками. Результаты интерпретируются в рамках перколяционной теории проводимости сильно разупорядоченных систем. Представляется, что особенность связана с переходом от проводимости двумерной эффективной среды, имеющей место в условиях электронного экранирования флуктуационного потенциала, к проводимости по квазиодномерному потенциальному желобу, образуемому в условиях сильного флуктуационного потенциала локальными областями с пониженным потенциалом.
  1. А.А. Кальфа, А.С. Тагер. В кн.: Многослойные полупроводниковые структуры и сверхрешетки (Горький 1985)
  2. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  3. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Мир, 1979)
  4. J.R. Brews. J. Appl. Phys., 46, 2181 (1975)
  5. В.А. Гергель, Р.А. Сурис. ЖЭТФ, 84, 719 (1983)
  6. В.А. Гергель, Г.В. Шпатаковская. ЖЭТФ, 102, 640 (1992)
  7. A.L. Efros, F.G. Pikus, V.G. Burnett. Phys. Rev. B, 47, 2233 (1993)
  8. E.N. Nicollian, J.R. Brews. MOS Physics and Technology (N. Y., Williy, 1982)
  9. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
  10. В.А. Гергель, А.Н. Соляков. ФТП, 17, 1016 (1983)
  11. А.С. Веденеев, В.А. Гергель, А.Г. Ждан, В.Е. Сизов. Письма ЖЭТФ, 58, 368 (1993)
  12. Б.А. Аронзон, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан, В.В. Рыльков. Микроэлектроника, 24, 452 (1995)
  13. A.O. Orlov, M.E. Raikh, I.M. Ruzin, A.K. Savchenko. Sol. St. Commun., 72, 169 (1989)
  14. A.S. Rylik, A.O. Orlov, E.I. Laiko. Phys. Low-Dim. Structur., N 3, 67 (1994)
  15. А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ФТП, 26, 2017 (1992)
  16. А.С. Веденеев, А.Г. Гайворонский, А.Г. Ждан. ПТЭ, N 2, 246 (1992)
  17. М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан, Б.С. Щамхалова. ФТП, 23, 1618 (1989)
  18. А.В. Орлов, А.К. Савченко, Б.И. Шкловский. ФТП, 23, 1334 (1989)
  19. М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан. ФТП, 23, 2122 (1989)
  20. A.I. Yakimov, N.P. Stepina, A.V. Dvurechenskii. Phys. Low-Dim. Structur., N 6, 75 (1994)
  21. Л.И. Глазман, Л.И. Лесовик, Д.Е. Хмельницкий, Р.И. Шехтер. Письма ЖЭТФ, 48, 239 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.