"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению
Гольдман Е.И.1, Ждан А.Г.1, Чучева Г.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на мелких объемных ловушках. В рамках термоэмиссионного механизма переноса ионов через барьер, сформированный поляризующим напряжением (Vg>0), рассчитаны динамические вольт-амперные характеристики деполяризации. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными --- узкие с полушириной ~ kT пики тока, проявляющиеся вблизи Vg=0, и их зависимости от температуры, скорости развертки и начальной плотности ионов у ГР SiO2/Si. На этом основании в области температур 423-453 K определены эффективная подвижность ионов mutheta=(2.5-11)·10-8 см2/В·с (theta --- коэффициент прилипания), энергия активации mu (Emu=~0.6 эВ) и глубина объемных ловушек в SiO2 (Et=~0.2 эВ). Согласно литературным данным, значения Emu=~0.6 эВ характерны для подвижных ионов Na+.
  1. J.F. Verwey, E.A. Amerasekera, J. Bisschop. Rep. Prog. Phys., 53, 1297 (1990)
  2. G.S. Horner, M. Kleefstra, T.G. Miller, M.A. Peters. Sol. St. Technol., 79, (June, 1995)
  3. M. Kuhn, D.J. Silversmith. J. Electrochem. Soc.: Sol. St. Science, 118, 966 (1971)
  4. A.G. Tangena, J. Middelhock, N.F. de Rooij. J. Appl. Phys., 49, 2876 (1978)
  5. A.G. Tangena, N.F. de Rooij, J. Middelhock. J. Appl. Phys., 49, 5576 (1978)
  6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. (М., Мир, 1984)
  7. М. Щур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991)
  8. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1973)
  9. E.I. Goldman, A.G. Zhdan. Semicond. Sci. Technol., 5, 675 (1990)
  10. Е.И. Гольдман. ФТП, 31, 45 (1997)
  11. R.J. Krieger, T.F. Devenyi. Thin Solid Films, 36, 435 (1976)
  12. К. Као, В. Хуанг. Перенос электронов в твердых телах (М., Мир, 1984)
  13. E.W. Montroll, G. Weiss, J. Math. Phys., 6, 167 (1965)
  14. И.П. Звягин. Кинетические явления в неупорядоченных полупроводниках (М., Изд-во москов. ун-та, 1984).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.