"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотогальванический эффект в асимметричной наноструктуре GaAs/AlGaAs при лазерном возбуждении
Кучеренко И.В.1, Водопьянов Л.К.1, Кадушкин В.И.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Научно-исследовательский технологический институт, Рязань, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Обнаружен фототок в структуре GaAs / GaAlAs с тремя асимметричными квантовыми ямами в магнитном поле H, параллельном поверхности образца, при облучении его квазинепрерывным лазером с lambda=1.065 мкм. Ток протекает в плоскости слоев перпендикулярно магнитному полю. Его величина возрастает с ростом H, при коммутации магнитного поля знак фототока изменяется. Эффект объяснен на основании модели о несимметричной структуре электронных волновых функций в магнитом поле.
  1. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев. Письма ЖЭТФ, 57, 565 (1993)
  2. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман. УФН, 130, 415 (1980)
  3. I.M. Doviak, S. Kothary. Proc. XII Int. Conf. on Phys. of Semicond. (Stuttgart, 1974) p. 1257
  4. С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963) с. 371
  5. Ю.А. Алещенко, И.Д. Воронова, С.П. Гришечкина. Письма ЖЭТФ, 58, 377 (1993)
  6. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987) с. 208
  7. Ю.А. Артамонов, А.М. Горбацевич, Ю.В. Копаев. ЖЭТФ, 101, 557 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.