Вышедшие номера
Исследование экситонных характеристик слоистых гетероструктур с квантованным спектром при наличии рельефной поверхности
Авруцкий И.А.1, Литовченко В.Г.2
1Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Проведено исследование экситонных характеристик гетероструктур InxGaAs1-x-GaAs в квантовыми ямами при наличии рельефной поверхности. Последняя обеспечивает существенную (до 20%) поляризацию экситонных спектров уже при нормальном угле падения возбуждающего света. На основании данных по фононным повторениям спектров фотолюминесценции рассчитаны величины энергии связи экситонов, значения которых хорошо согласуются с теоретическими расчетами. Исходя из величин поляризации фотолюминесценции, отражения и пропускания проведены оценки параметров микрорельефа поверхности исследованных слоистых структур.