Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Диэлектрическая проницаемость и проводимость на переменном токе полуизолирующих полупроводников Cd_1-xMn_xTe

Жуковский П.В.¹, Родзик А.¹, Шостак Ю.А.¹

¹Люблинский технический университет, Люблин, Польша Lublin University of Technology, Lublin, Poland

Поступила в редакцию: 11 июля 1995 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены температурные зависимости диэлектрической проницаемости и сопротивления на переменном токе соединений Cd_1-xMn_xTe (0=< x=< 0.7), из которых установлено, что дополнительная поляризация соединения обусловлена прыжковой перезарядкой дефектов структуры. Исследованы спектры электронного парамагнитного резонанса и отражения света для этих материалов. Предложена модель, описывающая термически активируемый рост диэлектрической проницаемости полупроводников. Определены основные характеристики и предложена микроскопическая модель структуры дефектов, прыжковая перезарядка которых приводит к росту диэлектрической проницаемости компенсированных полупроводников Cd_1-xMn_xTe.

P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, D. Maczka, V.F. Stelmakh. Phys. St. Sol. (a), 112, 695 (1989)
P.W. Zukowski, S.B. Kantorow, K. Kiszczak, D. Maczka, A. Rodzik, V.F. Stelmakh, E. Czarnecka-Such. Phys. St. Sol. (a), 128, 117 (1991)
П.В. Жуковский, С.Б. Канторов, Д. Мончка, А. Родзик. К. Кищак, В.Ф. Стельмах. ДАН Белоруссии, 37, 41 (1993)
С.А. Медведев, С.Н. Максимовский, Ю.В. Клевков, П.В. Шапкин. Теллурид кадмия (М., Наука, 1968)
Физика соединений A^IIB^VI, под ред. А.Н. Георгобиани и М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982) т. 1
S.S. Kirkpatrick. Proc. 5th Int. Conf. on Amorphous and Liquid Semicond. (Garmish-Partenkirchen, 1973) p. 183
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
Ч. Киттель. Элементарная физика твердого тела (М., Мир, 1965)
В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник (Киев, Наук. думка, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель