"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Перенос водорода в пленках графита, аморфного кремния и оксида никеля
Габис И.Е.1
1Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

С использованием нового метода концентрационных импульсов проведены исследования транспорта водорода в трех полупроводниковых материалах, нанесенных в виде пленок на никелевые подложки. Предложены наиболее вероятные модели переноса. В графите диффузия водорода происходит в виде молекул и сопровождается обратным захватом, перенос осуществляется по микропорам между чешуйками графита; центрами захвата служат валентно ненасыщенные связи на границах чешуек. Диффузия в аморфном кремнии также сопровождается захватом, но происходит в атомарной форме по междоузлиям; центрами захвата служат валентно ненасыщенные Si-связи. В оксиде никеля, подобно графиту, диффузионный перенос идет в виде молекул, однако захвата водорода на валентно ненасыщенные связи обнаружено не было. Проведен сравнительный анализ свойств, проявляемых исследованными материалами по отношению к кислороду, для установления их корреляции со структурой и электронными свойствами полупроводников.
  1. F. Waelbroeck. Influence of bulk and surface phenomena on the hydrogen permeation through metals (Julich, 1984)
  2. И.Е. Габис, Т.Н. Компаниец, А.А. Курдюмов. В кн.: Взаимодействие водорода с металлами, под ред. А.П.Захарова (М., 1987) с. 177
  3. И.Е. Габис, А.В. Ермаков. ФХММ, вып. 4, 64 (1989)
  4. И.Е. Габис. Автореф. докт. дис. (СПб., 1995)
  5. И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов, А.В. Самсонов. Письма ЖТФ, 20, вып. 7, 88 (1994)
  6. И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, А.В. Самсонов. Письма ЖТФ, 21, вып. 5, 1 (1995)
  7. И.Е. Габис, Т.Н. Компаниец, В.А. Куракин, А.А. Курдюмов, В.А. Пивень. ФХММ, вып. 4, 18 (1991)
  8. И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 2, N 11, 77 (1993)
  9. И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 3, N 18, 93 (1993)
  10. Е. Фромм, Е. Гебхард. Газы и углерод в металлах (М., 1980).
  11. A.M. Danishevskii, V. Latinis, O.I. Kon'kov, E.I. Terukov, M.M. Mezdrogina. Semiconductors, 27, 495 (1993)
  12. J.P. Chen, R.N. Yang. Surf. Sci., 216, 481 (1989).
  13. Е.М. Байтингер. Электронная структура конденсированного углерода (Свердловск, 1988)
  14. K. Morita, K. Ohtsuka, Y. Hasebe. J. Nucl. Mater., 162-164, 990 (1989)
  15. M.J. Saeki. Nucl. Mater., 131, 32 (1985)
  16. E.A. Denisov, T.N. Kompaniets et al. J. Nucl. Mater., 212-215, 1448 (1994)
  17. J.W. Corbett, D. Peak et al. A. S. I. NATO, ser. B, 136, 61 (1986)
  18. A. Capizzi, A. Mitiga. Appl. Phys. Lett., 50, 918 (1987)
  19. M. Aucouturier, J. Chevalier. Ann. Chim. Fr., 14, 117 (1989)
  20. G.J. Clark, C.W. Wite, D.D. Allred, B.R. Appleton, C.W. Magee, D.E. Carlson. Appl. Phhys. Lett., 31, 582 (1977)
  21. В.П. Жданов, Я. Павличек, Э. Кнор. Поверхность, вып. 10, 41 (1986)
  22. В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Н.Д. Потехина, С.М. Соловьев. В кн.: Взаимодействие водорода с металлами, под ред. А.П.Захарова (М., 1987) с. 18
  23. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., 1982) т. 2
  24. В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и не его поверхности (М., 1990)
  25. Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски (М., 1982)
  26. H. Atsumi, S. Tokura, M. Miyake. J. Nucl. Mater., 155-157, 241 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.