Перенос водорода в пленках графита, аморфного кремния и оксида никеля
Габис И.Е.1
1Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербургский государственный университет, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 20 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
С использованием нового метода концентрационных импульсов проведены исследования транспорта водорода в трех полупроводниковых материалах, нанесенных в виде пленок на никелевые подложки. Предложены наиболее вероятные модели переноса. В графите диффузия водорода происходит в виде молекул и сопровождается обратным захватом, перенос осуществляется по микропорам между чешуйками графита; центрами захвата служат валентно ненасыщенные связи на границах чешуек. Диффузия в аморфном кремнии также сопровождается захватом, но происходит в атомарной форме по междоузлиям; центрами захвата служат валентно ненасыщенные Si-связи. В оксиде никеля, подобно графиту, диффузионный перенос идет в виде молекул, однако захвата водорода на валентно ненасыщенные связи обнаружено не было. Проведен сравнительный анализ свойств, проявляемых исследованными материалами по отношению к кислороду, для установления их корреляции со структурой и электронными свойствами полупроводников.
- F. Waelbroeck. Influence of bulk and surface phenomena on the hydrogen permeation through metals (Julich, 1984)
- И.Е. Габис, Т.Н. Компаниец, А.А. Курдюмов. В кн.: Взаимодействие водорода с металлами, под ред. А.П.Захарова (М., 1987) с. 177
- И.Е. Габис, А.В. Ермаков. ФХММ, вып. 4, 64 (1989)
- И.Е. Габис. Автореф. докт. дис. (СПб., 1995)
- И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов, А.В. Самсонов. Письма ЖТФ, 20, вып. 7, 88 (1994)
- И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, А.В. Самсонов. Письма ЖТФ, 21, вып. 5, 1 (1995)
- И.Е. Габис, Т.Н. Компаниец, В.А. Куракин, А.А. Курдюмов, В.А. Пивень. ФХММ, вып. 4, 18 (1991)
- И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 2, N 11, 77 (1993)
- И.Е. Габис, А.А. Курдюмов, Н.А. Тихонов. Вестн. СПбГУ, сер. 4, вып. 3, N 18, 93 (1993)
- Е. Фромм, Е. Гебхард. Газы и углерод в металлах (М., 1980).
- A.M. Danishevskii, V. Latinis, O.I. Kon'kov, E.I. Terukov, M.M. Mezdrogina. Semiconductors, 27, 495 (1993)
- J.P. Chen, R.N. Yang. Surf. Sci., 216, 481 (1989).
- Е.М. Байтингер. Электронная структура конденсированного углерода (Свердловск, 1988)
- K. Morita, K. Ohtsuka, Y. Hasebe. J. Nucl. Mater., 162-164, 990 (1989)
- M.J. Saeki. Nucl. Mater., 131, 32 (1985)
- E.A. Denisov, T.N. Kompaniets et al. J. Nucl. Mater., 212-215, 1448 (1994)
- J.W. Corbett, D. Peak et al. A. S. I. NATO, ser. B, 136, 61 (1986)
- A. Capizzi, A. Mitiga. Appl. Phys. Lett., 50, 918 (1987)
- M. Aucouturier, J. Chevalier. Ann. Chim. Fr., 14, 117 (1989)
- G.J. Clark, C.W. Wite, D.D. Allred, B.R. Appleton, C.W. Magee, D.E. Carlson. Appl. Phhys. Lett., 31, 582 (1977)
- В.П. Жданов, Я. Павличек, Э. Кнор. Поверхность, вып. 10, 41 (1986)
- В.Н. Агеев, О.П. Бурмистрова, Н.Д. Потехина, С.М. Соловьев. В кн.: Взаимодействие водорода с металлами, под ред. А.П.Захарова (М., 1987) с. 18
- Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., 1982) т. 2
- В.С. Вавилов, В.Ф. Киселев, Б.Н. Мукашев. Дефекты в кремнии и не его поверхности (М., 1990)
- Аморфные полупроводники, под ред. М.Бродски (М., 1982)
- H. Atsumi, S. Tokura, M. Miyake. J. Nucl. Mater., 155-157, 241 (1988)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук