"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельно-избыточный ток в невырожденных барьерных p-n- и m-s-структурах AIIIBV на Si
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Джумаева М.2, Назаров Н.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт Академии наук Туркмении, Ашхабад, Туркмения
Поступила в редакцию: 26 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.

Обобщены результаты исследования прямого тока в трех типах барьерных структур: гомо-p-n-структурах p-n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaP/n-Si, p-n-GaAs--n-GaAs/n-Si; гетероструктурах n-GaP/p-Si, p-GaP/n-Si, n-GaAsP/p-Si, n-GaAs/p-Si и поверхностно-барьерных структурах Au--n-GaP/n-Si. Эпитаксиальные слои GaP и GaAs на Si-подложках создавались методом газофазной эпитаксии в хлоридной системе. Температурные измерения показали, что прямой ток имеет туннельную природу, хотя ширина области объемного заряда значительно больше длины туннелирования. Предложена модель неоднородного туннелирования вдоль дислокаций, пересекающих область объемного заряда. Учет туннелирования такого типа осуществляется путем введения феноменологического коэффициента "разрежения" барьера. Модель позволяет по вольт-амперной характеристике вычислить плотность дислокаций в приборных структурах.
  1. T. Katoda, M. Kishi. J. Electron. Mater., 9, 783 (1980)
  2. S.F. Fang, S. Adomi, S. Lyer, H. Morkoc, H. Zabel. J. Appl. Phys., 68, R31 (1990).
  3. A. Georgakilas, P. Panayotatos, J. Stolmones, J.L. Christou. J. Appl. Phys., 71, 2679 (1992).
  4. В.М. Андреев, О.В. Сулима. Электронная промышленность, N 11, 24 (1990)
  5. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Р. Назаров, В.В. Россин, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. Письма ЖТФ, 19, 61 (1993)
  6. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров. ЖТФ, 63, 41 (1993)
  7. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. ФТП, 27, 1319 (1993)
  8. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Д.В. Сергеев, Л.М. Федоров. ФТП, 27, 688 (1993)
  9. В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, Н. Назаров, Ю.Г. Садофьев, А.Н. Топчий, Н.Н. Фалеов, Л.М. Федоров, Ю.М. Шерняков. ФТП, 29, 385 (1995)
  10. А.В. Бобров, В.В. Евстропов, Ю.В. Жиляев, М.Г. Мынбаева, Н. Назаров. Письма ЖТФ, 19, 30 (1993)
  11. Р. Стрэттон. В сб.: Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973) с. 106
  12. А.Я. Шик. ФТП, 17, 1295 (1983)
  13. A.R. Riben, D.L. Feucht. Sol. St. Electron., 9, 1055 (1966)
  14. A.R. Riben, D.L. Feucht. Int. J. Electron., 20, 583 (1966)
  15. С.М. Зи. Физика полупровдниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  16. В.В. Евстропов, А.М. Стрельчук. ФТП, 30, 92 (1996)
  17. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир, 1975)
  18. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.