Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оже-рекомбинация в напряженных квантовых ямах

Андреев А.Д.¹, Зегря Г.Г.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследован беспороговый механизм оже-рекомбинации неравновесных носителей в квантовых ямах с напряженными слоями. Показано, что анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от величины напряжения, высот гетеробарьеров для электронов и дырок, возможен только при микроскопическом расчете интегралов перекрытия между начальными и конечными состояниями частиц. В квантовых ямах с напряженными слоями наличие деформации качественно и количественно влияет на интеграл перекрытия электрон-дырка. Выполнен анализ зависимости скорости оже-рекомбинации от параметров квантовой ямы, величины напряжения и температуры для гетероструктур на основе InGaAsP/InP и InGaAlAs/InP.

G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Long-Wavelength Semiconductor Lasers (Van Nostrand Reinhold Company, N. Y., 1986)
Peter S. Zory, Ed. Quantum Well Lazers (Academic Press, Inc., 1993)
A.R. Adams. Electron. Lett., 22, 249 (1986)
P.J. Thijs, L.F. Tiemeijer, T. van Dongen. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 477 (1994), and references therein.
Г.Г. Зегря, В.А. Харченко. ЖЭТФ, 74, 173 (1992)
Г.Г. Зегря, В.П. Евтихиев, И.В. Кудряшов, А.Д. Андреев, А.Б. Комиссаров, Д.В. Прилутский, В.Е.Токранов. Тез. докл. 2-ой Рос. конф. по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996) т. 2, с. 125.
G.G. Zegrya, P. Voisin, D.K. Nelson, A.N. Starukhin, A.N. Titkov. Abstract Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Peterburg, 1994) p. 101
M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, I.N. Timchenko, I.A. Andreev, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 2397, 166 (1995)
Jin Wang, P. von Allmen, J.-P. Leburton, K.J. Linden. IEEE J. Quant. Electron., QE-31, 864 (1995)
G.G. Zegrya, A.D. Andreev, N.A. Gun'ko, E.V. Frolushkina. Proc. SPIE, 2399, 307 (1995)
G.G. Zegrya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995).
Г.Г. Зегря, А.Д. Андреев. ЖЭТФ, 102, 615 (1996)
Б.Л. Гельмонт. ЖЭТФ, 75, 536 (1978)
T. Ishikawa, J.E. Bowers. IEEE J. Quant. Electron., QE-30, 562 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель