"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра при комнатной температуре
Полисский Г.1, Сресели О.М.2, Андрианов А.В.2, Кох Ф.1
1Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Разработана методика изготовления мезопористого кремния на подложках n-типа с двумя интенсивными при комнатной температуре полосами фото- и электролюминесценции: основной в диапазоне 1.4--1.8 эВ и низкоэнергетической инфракрасной вблизи 1--1.2 эВ. Показана возможность управления как положением основного максимума излучения, так и интенсивностью полос. Свойства основной полосы объясняются в рамках квантово-размерной модели образования пористого кремния, а низкоэнергетической --- излучательной рекомбинацией в крупных неквантово-размерных кристаллитах.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. Porous Silicon, ed. by Zhe Chuan Feng et al (World Scientific, 1994)
  3. Microcrystalline Semiconductors: Materials Science \& Devices, ed, by P.M. Fauchet et al (Pittsburgh, P A, Mater. Res. Soc. Proc., 1993) v. 283; Silicon-Based Optoelectronic Materials, ed. by M.A. Tischler et al (Pittsburgh, P A, Mater. Res. Soc. Proc., 1993) v. 289
  4. H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 74, 6365 (1993)
  5. T. Asano, K. Higa, S. Aoki, M. Tonouchi, T. Miyasato. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 373 (1992)
  6. A. Nikolov, V. Petrova-Koch, G. Polisski, F. Koch. In: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, ed. by L. Brus et al (Boston, USA, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1994) v. 358, p. 423
  7. C.H. Perry, F. Lu, F. Namavar, N.M. Kalkhoran, R.A. Sofer. Appl. Phys. Lett., 60, 3117 (1992)
  8. O. Sreseli, V. Petrova-Koch, D. Kovalev, T. Muschik, S. Hofreiter, F. Koch. Proc. 22th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994), ed by D. Lockwood (World Scientific, 1994) v. 3, p. 2117
  9. V. Petrova-Koch, T. Muschik, G. Polisski, D. Kovalev. In: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, ed. by L. Brus et al (Boston, USA, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1994) v. 358, p. 483
  10. A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, J.C. Vial. Phys. Rev. Lett, 71, 637 (1993)
  11. L. Tsybeskov, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 64, 1983 (1994)
  12. F. Kozlowsky, W. Lang. J. Appl. Phys., 72, 5401 (1992)
  13. S. Gardelis, B. Hamiltom. J. Appl. Phys., 76, 5327 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.