Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Люминесценция пористого кремния в ИК области спектра при комнатной температуре
1Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.
Разработана методика изготовления мезопористого кремния на подложках n-типа с двумя интенсивными при комнатной температуре полосами фото- и электролюминесценции: основной в диапазоне 1.4-1.8 эВ и низкоэнергетической инфракрасной вблизи 1-1.2 эВ. Показана возможность управления как положением основного максимума излучения, так и интенсивностью полос. Свойства основной полосы объясняются в рамках квантово-размерной модели образования пористого кремния, а низкоэнергетической - излучательной рекомбинацией в крупных неквантово-размерных кристаллитах.
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
- Porous Silicon, ed. by Zhe Chuan Feng et al (World Scientific, 1994)
- Microcrystalline Semiconductors: Materials Science \& Devices, ed, by P.M. Fauchet et al (Pittsburgh, P A, Mater. Res. Soc. Proc., 1993) v. 283; Silicon-Based Optoelectronic Materials, ed. by M.A. Tischler et al (Pittsburgh, P A, Mater. Res. Soc. Proc., 1993) v. 289
- H. Koyama, N. Koshida. J. Appl. Phys., 74, 6365 (1993)
- T. Asano, K. Higa, S. Aoki, M. Tonouchi, T. Miyasato. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 373 (1992)
- A. Nikolov, V. Petrova-Koch, G. Polisski, F. Koch. In: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, ed. by L. Brus et al (Boston, USA, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1994) v. 358, p. 423
- C.H. Perry, F. Lu, F. Namavar, N.M. Kalkhoran, R.A. Sofer. Appl. Phys. Lett., 60, 3117 (1992)
- O. Sreseli, V. Petrova-Koch, D. Kovalev, T. Muschik, S. Hofreiter, F. Koch. Proc. 22th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Vancouver, Canada, 1994), ed by D. Lockwood (World Scientific, 1994) v. 3, p. 2117
- V. Petrova-Koch, T. Muschik, G. Polisski, D. Kovalev. In: Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors, ed. by L. Brus et al (Boston, USA, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1994) v. 358, p. 483
- A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, J.C. Vial. Phys. Rev. Lett, 71, 637 (1993)
- L. Tsybeskov, P.M. Fauchet. Appl. Phys. Lett., 64, 1983 (1994)
- F. Kozlowsky, W. Lang. J. Appl. Phys., 72, 5401 (1992)
- S. Gardelis, B. Hamiltom. J. Appl. Phys., 76, 5327 (1994).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
