Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Природа отрицательного дифференциального сопротивления неидеального барьера Шоттки на основе арсенида индия

Каламейцев А.В.¹, Романов Д.А.¹, Ковчавцев А.П.¹, Курышев Г.Л.¹, Постников К.О.¹, Субботин И.М.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 10 января 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Теоретически и экспериментально исследованы процессы упругого туннелирования в МДП структурах с барьером Шоттки на основе p⁺-InAs. При гелиевых температурах получены вольт-амперные характеристики с участком отрицательного дифференциального сопротивления. На основе квазиклассического приближения получены аналитические выражения для коэффициента туннельного прохождения с конверсией носителей. Показано, что падающий участок ВАХ связан с участием в процессе туннелирования вышележащего уровня размерного квантования в n-канале. Полученные расчетные вольт-амперные характеристики хорошо согласуются с результатами эксперимента.

C.A. Mead, W.G. Spetzer. Phys. Rev. Lett., 10, 471 (1963)
Н.П. Есина, Н.В. Зотова, С.А. Карандышев, Г.М. Филаретова. ФТП, 17, 991 (1983)
M.F. Millea, A.H. Silver. J. Vac. Sci. Techn., 15, 1362 (1972)
D.C. Tsui. Phys. Rev. B, 4, 4438 (1971)
А.П. Ковчавцев, Г.Л. Курышев, К.О. Постников, С.А. Бирюков. ФТП, 19, 2187 (1985)
A.P. Kovchavtsev, G.L. Kurishev, K.O. Postnikov. Phys. St. Sol., 97, 421 (1986)
Ю.Г. Галицин. Поверхность, 5, 108 (1992).
L.S. Braginsky, E.M. Baskin, A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, K.O. Postnikov, I.M. Subbotin. Phys. Rev. B, 52, 17 718 (1995).
Туннельные явления в твердых телах, под ред. Э. Бурштейна, С. Лундквист (М., Мир, 1973) с 424
V. Ryshii, A. Zhakharova. Semicond. Sci. Technol., 8, 377 (1993)
O.E. Kane. J. Phys. Chem. Sol., 12, 181 (1959)
Л.Д. Ландау, Е.М. Лившиц. Квантовая механика (М., Наука, 1989) с. 768
Д. Бом. Квантовая теория (М., ГИФМЛ, 1961) с. 728
W. Baltensperger. Phil. Mag., 44, 1355 (1953)
M. de Dios Leyva, R.P. Alvarez, J.L. Gondar. Phys. St. Sol. (b), 125, 221 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель