Вышедшие номера
Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs
Демидов Е.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

В приближении эффективной массы вычислены вероятность туннелирования электрона через треугольный барьер и время жизни его в квантовой яме рядом с гетеробарьером GaAs/AlAs, образованной сильным электрическим полем. Показано, что для таких структур вероятность туннелирования в X-долину может на несколько порядков превышать вероятность туннелирования в Gamma-долину. Время жизни электрона в квазистационарном состоянии перед гетеробарьером также в основном определяется туннелированием в X-долину и составляет ~10-13-10-11 c в полях E~105-106 В/см.