"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние X-долины на туннелирование и время жизни электронов в гетероструктурах GaAs/AlAs
Демидов Е.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

В приближении эффективной массы вычислены вероятность туннелирования электрона через треугольный барьер и время жизни его в квантовой яме рядом с гетеробарьером GaAs/AlAs, образованной сильным электрическим полем. Показано, что для таких структур вероятность туннелирования в X-долину может на несколько порядков превышать вероятность туннелирования в Gamma-долину. Время жизни электрона в квазистационарном состоянии перед гетеробарьером также в основном определяется туннелированием в X-долину и составляет ~10-13-10-11 c в полях E~105-106 В/см.
  1. K. Hess, T.K. Higman, M.A. Emanuel, J.J. Coleman. J. Appl. Phys., 60, 3775 (1986)
  2. А.М. Белянцев, Ю.Ю. Романова. ФТП, 29, 1408 (1995)
  3. H.C. Liu. Appl. Phys. Lett., 51, 1019 (1987)
  4. Yu. Zhang, H. Zheng. Appl. Phys. Lett., 65, 1036 (1994)
  5. J.A. Stovneng, P. Lipavsky. Phys. Rev. B, 49, 16494 (1994)
  6. В.М. Галицкий, Б.М. Карнаков, В.И. Коган. Задачи по квантовой механике (М., Наука, 1981) с. 177
  7. А.И. Базь, Я.Б. Зельдович, А.М. Переломов. Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской механике (М., Наука, 1966) с. 162

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.