"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизмы рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переходов на их основе
Тетеркин В.В.1, Сточанский С.Я.1, Сизов Ф.Ф.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

Методом диффузии As в монокристаллические подложки n-Hg1-xCdxTe изготовлены фотодиоды p+-n-типа на область длин волн 3--5 и 8--12 мкм и исследованы их электрические и фотоэлектрические характеристики. Из анализа температурных зависимостей дифференциального сопротивления и вольт-амперных характеристик следует, что при температуре 77 K преобладает генерационно-рекомбинационный механизм переноса носителей заряда. При повышении температуры проявляется также вклад диффузионной составляющей. Для диодов, имеющих длинноволновую границу фоточувствительности lambdac=~ 11.5, 10.5 и 6.0 мкм, получены значения произведения R0A=~ 0.3-1.0, 1-10 и (1-10)· 104 Ом·см2 соответственно, что указывает на возможность их работы в режиме ограниченном флуктуациями фонового излучения.
  1. A. Rogalski, J. Piotrowski. Prog. Quant. Electron., 12, 87 (1988)
  2. Фотоприемники видимого и инфракрасного диапазона, под ред. Р.Дж. Киеса (М., Радио и связь, 1985)
  3. Н.Л. Баженов, С.И. Гасанов, В.К. Огородников, В.И. Процык. Зарубежн. электрон. техн., вып. 8, (303) 3 (1986).
  4. P.R. Norton. Opt. Eng., 30, 1649 (1991)
  5. C.C. Wang. J. Vac. Sci. Technol., 9, 1740 (1991)
  6. G.N. Pultz, W. Peter, P.W. Norton, E.E. Kruger, M.B. Reine. J. Vac. Sci. Technol., 9, 1724 (1991)
  7. J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, L.J. Kozlowski, R.E. DeWames. Opt. Eng., 33, 1422 (1994)
  8. J.M. Arias, J.G. Pasko, M. Zandian, S.H. Shin, G.M. Williams, L.O. Bubulas, R.E. DeWames, W.E. Tennant. J. Electron. Mater., 22, 1049 (1993)
  9. P. Gapper. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1667 (1991)
  10. M.B. Reine, A.K. Sood, T.J. Tredwell. Protovoltaic Detectors. In: Semiconductor and Semimetals, 18, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press, 1981)
  11. D. Rosenfeld, G. Bahir. IEEE Trans. Electron. Dev., 39, 1638 (1992)
  12. C.E. Jones, V. Nair, J. Lindquist, D.L. Polla. J. Vac. Sci. Technol., 21, 187 (1982)
  13. M.A. Kinch, M.J. Brau, A. Simmons. J. Appl. Phys., 44, 1649 (1993)
  14. D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
  15. R. Dornhaus, G. Nimtz. The Properties and Applications of the Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Te Alloy System. In: Springer Tracts in Modern Physics, 98, 119 (1985).
  16. В.И. Иванов-Омский, К.Е. Миронов, К.Д. Мынбаев, В.В. Богобоящий. ФТП, 25, 1423 (1991)
  17. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977).
  18. J.R. Lowney, D.G. Seiler, C.L. Littler, I.T. Yoon. J. Appl. Phys., 71, 1235 (1992)
  19. M.H. Weiler. Magnetooprical properties of Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Te Photovoltaic Detectors. In: Semiconductor and Semimetals, 16, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (N. Y., Academic Press, 1981).
  20. В.В. Богобоящий, А.И. Елизаров, В.А. Петряков, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон. (Киев), вып. 34, 70 (1988)
  21. J. Piotrowski. Hg-=SUB=-1-x-=/SUB=-Cd-=SUB=-x-=/SUB=-Te Detectors. In: Infrared Photon Detectors, ed. by A. Rogalski (SPIE Optical Engineering Press, 1995)
  22. J. Rutkowski, A. Rogalski, J. Piotrowski, J. Pawluczyk. Proc. SPIE, 1845, (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.