Вышедшие номера
Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа
Казанский А.Г.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

В области температур 360-400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/taur)beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1-7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации Ea температурной зависимости эффективного времени taur составляла 0.97-1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение Ea и beta. Величина taur возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.