Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние времени освещения на отжиг созданных светом метастабильных дефектов в a-Si : H p-типа

Казанский А.Г.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 20 мая 1996 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В области температур 360-400 K исследовано влияние времени освещения на релаксацию концентрации созданных светом метастабильных дефектов в легированных бором пленках a-Si : H. Релаксация концентрации происходила по растянутой экспоненте (~exp(-(t/tau_r)^beta)). В области исследованных температур и времен освещения (0.1-7.0 с) коэффициент beta=0.55-0.65, а энергия активации E_a температурной зависимости эффективного времени tau_r составляла 0.97-1.07 эВ. С ростом освещения наблюдалось слабое увеличение E_a и beta. Величина tau_r возрастала при увеличении времени освещения в соответствии с зависимостью, близкой к логарифмической. Проведено сопоставление полученных экспериментальных результатов с существующими микроскопическими моделями образования и отжига метастабильных дефектов в пленках a-Si : H.

W.B. Jackson, J. Kakalios. Phys. Rev. B, 37, 1020 (1988)
W.B. Jackson, J.M. Marshall, M.D. Moyer. Phys. Rev. B, 39, 1164 (1989)
R.S. Crandall. Phys. Rev. B, 43, 4057 (1991)
T.J. McMahon, R. Tsu. Appl. Phys. Lett., 51, 412 (1987)
T. Kumeda, H.A. Morimoto, T. Shimizu. Jap. J. Appl. Phys., 25, L654 (1986)
R.S. Crandall. Phys. Rev. B, 36, 2645 (1987)
J. Jang, S.C. Park, S.C. Kim, C. Lee. Appl. Phys. Lett., 51, 1804 (1987)
А.Г. Казанский. Вест. МГУ, Сер. 3, Физика астрономия, 33, 70 (1992)
M.W. Carlen, Y. Xu, R.S. Crandall. Phys. Rev. B, 51, 2173 (1995)
R.S. Crandall, M.W. Carlen. J. Non-Cryst. Sol., 190, 133, (1995)
D. Adler. Solar Cells, 9, 133 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель