"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация на гетерогранице II типа в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при импульсном возбуждении
Баженов Н.Л.1, Зегря Г.Г.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Смирнов В.А.1, Соловьева О.Ю.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

При T=77 K исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/ p-InAs при импульсном возбуждении. Показано, что так же, как и при возбуждении постоянным током, в спектрах наблюдаются две полосы излучения с максимумами, соответствующими энергиям 384 и 311 мэВ соответственно. Полуширина полос излучения составляет 18--19 мэВ. С помощью методики спектроскопии временного разрешения оценено время релаксации неравновесных носитетелей, которое составляло 6--7 мкс. Рассчитан спектр излучения в рамках модели Кейна и проведена оценка времени излучательной рекомбинации. Теоретические оценки находятся в разумном согласии с экспериментом.
  1. М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, И.Н. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 686 (1995)
  2. M.P. Mikhailova, G.G. Zergya, K.D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
  3. G.G. Zergya, A.D. Andreev. Appl. Phys. Lett., 67, 2681 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.