При T=77 K исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/ p-InAs при импульсном возбуждении. Показано, что так же, как и при возбуждении постоянным током, в спектрах наблюдаются две полосы излучения с максимумами, соответствующими энергиям 384 и 311 мэВ соответственно. Полуширина полос излучения составляет 18-19 мэВ. С помощью методики спектроскопии временного разрешения оценено время релаксации неравновесных носитетелей, которое составляло 6-7 мкс. Рассчитан спектр излучения в рамках модели Кейна и проведена оценка времени излучательной рекомбинации. Теоретические оценки находятся в разумном согласии с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.