Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
Данилова Т.Н.1, Евсеенко О.И.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Исследована перестройка длины волны излучения лазеров на 3.2-3.4 мкм с активным слоем InAsSb и слоями InAsSbP раздельного электрического и оптического ограничения. Получено смещение доминирующей моды на 3-5 Angstrem в коротковолновую сторону в процессе импульса тока при температурах 78-100 K. Коротковолновое смещение объясняется уменьшением коэффициента преломления из-за роста концентрации носителей заряда и снижения интенсивности излучения в процессе импульса.
- А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 6 (1992)
- Ю.П. Яковлев, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Е.В. Степанов, А.Я. Понуровский. Квант. электрон. 20, 839 (1993)
- A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
- Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 16, 7 (1996)
- В.М. Аснин, А.А. Рогачев. ФТТ, 5, 1730 (1963)
- П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Тр. ФИАН, 166, 15 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук