Вышедшие номера
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
Данилова Т.Н.1, Евсеенко О.И.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Исследована перестройка длины волны излучения лазеров на 3.2-3.4 мкм с активным слоем InAsSb и слоями InAsSbP раздельного электрического и оптического ограничения. Получено смещение доминирующей моды на 3-5 Angstrem в коротковолновую сторону в процессе импульса тока при температурах 78-100 K. Коротковолновое смещение объясняется уменьшением коэффициента преломления из-за роста концентрации носителей заряда и снижения интенсивности излучения в процессе импульса.