"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
Данилова Т.Н.1, Евсеенко О.И.1, Именков А.Н.1, Колчанова Н.М.1, Степанов М.В.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический инстутит им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Исследована перестройка длины волны излучения лазеров на 3.2--3.4 мкм с активным слоем InAsSb и слоями InAsSbP раздельного электрического и оптического ограничения. Получено смещение доминирующей моды на 3--5 Angstrem в коротковолновую сторону в процессе импульса тока при температурах 78--100 K. Коротковолновое смещение объясняется уменьшением коэффициента преломления из-за роста концентрации носителей заряда и снижения интенсивности излучения в процессе импульса.
  1. А.Н. Баранов, Т.Н. Данилова, О.Г. Ершов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18, 6 (1992)
  2. Ю.П. Яковлев, А.Н. Баранов, А.Н. Именков, В.В. Шерстнев, Е.В. Степанов, А.Я. Понуровский. Квант. электрон. 20, 839 (1993)
  3. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, V.V. Sherstnev, Yu.P. Yakovlev. Appl. Phys. Lett., 64, 2480 (1994)
  4. Т.Н. Данилова, О.И. Евсеенко, А.Н. Именков, Н.М. Колчанова, М.В. Степанов, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма в ЖТФ, 16, 7 (1996)
  5. В.М. Аснин, А.А. Рогачев. ФТТ, 5, 1730 (1963)
  6. П.Г. Елисеев, А.П. Богатов. Тр. ФИАН, 166, 15 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.