Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Лантратов В.М.1, Львова Т.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Антимонид галлия и его твердые растворы широко применяются для создания оптоэлектронных приборов для спектрального диапазона 2/5 мкм. Однако высокая химическая активность поверхности приводит к высокой скорости роста собственного окисла и к деградации характеристик приборов на основе этих материалов. Нами проведено исследование пассивации поверхности GaSb и четверных соединений GaInAsSb и GaAlAsSb на его основе в водных растворах Na2S и (NH4)2S. Обнаружено, что при обработке в водных сульфидных растворах таких полупроводниковых материалов присутствует фаза травления. Нами изучено воздействие процесса обработки (тип и молярность раствора, продолжительность обработки) на скорость травления исследованных материалов. Основываясь на полученных результатах, мы определили оптимальные технологические условия пассивации фотодиодных меза-структур на основе GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb и было получено значительное снижение (в 5/ 10 раз) величины обратного темнового тока.
- A.M. Green, W.F. Spicer. Vac. Sci. Technol. A, 11, 1061 (1993)
- V.L. Berkovits, V.N. Bessolov, T.V. L'vova, E.B. Novikov, V.I. Safarov, R.V. Khasieva, B.V. Tsarenkov. J. Appl. Phys., 70, 3707 (1991)
- T. Ohno, K. Shiraishi. Phys. Rev. B, 42, 11 194 (1990)
- C.J. Sandroff, R.N. Nottenburg, J.-C. Bischoff, R. Bhat. Appl. Phys. Lett., 51, 33 (1987)
- A.G. Milnes, A.Y. Polyakov. Sol. St. Electron., 36, 803 (1993)
- T.K. Paul, D.M. Bose. J. Appl. Phys., 70, 7387 (1991)
- H. Oigawa, J.F. Fan, Y. Nannichi, H. Sugahara, M. Oshima. Japan. Appl. Phys., 30, L322 (1991)
- Yu.A. Kudryavtsev, E.B. Novikov, N.M. Stus, E.A. Chaikina. Sov. Phys. Semicond, 26, 975 (1992)
- Z.H. Lu, X.H. Feng, B.X. Yang. Appl. Phys. Lett., 62, 2932 (1993)
- A.Y. Polyakov, M. Stam, A.G. Milnes, A.E. Bochkarev, S.J. Peatron. J. Appl. Phys., 71, 4411 (1992)
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
- I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, V.G. Danil'chenko, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 12, 542 (1986)
- I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 14, 435 (1988)
- I.A. Andreev, M.A. Afrailov, A.N. Baranov, S.G. Konnikov, M.A. Mirsagatov, M.P. Mikhailova, O.V. Salata, V.E. Umansky, G.M. Filaretova, Yu.P. Yakovlev. Sov. Techn. Phys. Lett., 15, 71 (1989)
- V.L. Berkovits, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, G.A. Shakiashvili, V.P. Ulin, D. Paget. Semiconductors, 28, 260 (1994)
- J.-W. Seo, T. Koker, S. Agarwala, I. Adesida. Appl. Phys. Lett., 60, 1114 (1992)
- V.L. Berkovits, A.O. Gusev, V.M. Lantratov, T.V. L'vova, D. Paget, A.B. Pushnyi, V.P. Ulin. Phys. Low-Dim. Structur., 12, 293 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.