Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролюминесценция в разъединенной гетероструктуре p-GaInAsSb/p-InAs при гелиевых температурах

Баженов Н.Л.¹, Зегря Г.Г.¹, Иванов-Омский В.И.¹, Михайлова М.П.¹, Михайлов М.Ю.¹, Моисеев К.Д.¹, Смирнов В.А.¹, Яковлев Ю.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 26 марта 1997 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована электролюминесценция в разъединенной одиночной гетероструктуре II типа p-GaInAsSb/p-InAs при T=4.2/ 77 K. Показано, что при понижении температуры ниже T=77 K две полосы люминесценции с энергиями максимумов 311 мэВ (полоса A) и 384 мэВ (полоса B) сдвигаются в сторону больших энергий, причем при T=4.2 K коротковолновая полоса расщепляется на две полосы B₁ и B₂. Результаты объясняются в рамках модели, учитывающей рекомбинацию электронов из зоны проводимости на акцепторный уровень в InAs, а также рекомбинацией электронов и дырок, локализованных в самосогласованных квантовых ямах по разные стороны от гетерограницы.

M.P. Mikhailova, G.G. Zegrya, K.D. Moiseev, Yu.P. Yakovlev. Sol. St. Electron., 40, 673 (1996)
Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, О.Ю. Соловьева, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 658 (1977)
N.L. Bazhenov, G.G. Zegrya, V.I. Ivanov-Omskii, K.D. Moiseev, M.P. Mikhailova, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. 23-rd Int. Symp. Compound Semiconductors (St. Petersburg, Russia, September 23--27) rep. 11.P2.37
П.К. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Полупроводниковая электроника. Справочник (Киев, Наук. думка, 1975)
X. Gong, H. Kan, T. Yamagichi, I. Sazuki, M. Aoyama, M. Kumagawa, N.L. Rowell, A. Wang, R. Rinfret. JJAP, v. 33, 1740 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель