"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах
Кузнецов Н.И.1, Edmond J.A2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Cree Research Inc., Meridian Parkway, Suite 176, Durham, NC, USA
Поступила в редакцию: 30 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.
  1. Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, 230 (1961)
  2. Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, 3535 (1961)
  3. М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 479 (1991)
  4. N.T. Son, E. Sorman, W.M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2687 (1994)
  5. St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 2, 361 (1996)
  6. Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 4, 3170 (1962)
  7. А.И. Вейнгер, К.П. Конин. ФТП, 2, 294 (1968)
  8. Г. Борда, Э.Е. Виолин, Г.Н. Виолина, Ю.М. Таиров. ФТТ, 11, 2551 (1969)
  9. H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 64, 2672 (1988)
  10. J.W. Palmour, R.F. Davis, T.M. Wallett, K.B. Bhasin. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 590 (1986)
  11. T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 67, 6375 (1990)
  12. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  13. Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
  14. W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Stein, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992)
  15. H.J. van Daal, W.F. Knippenbery, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
  16. M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
  17. Н.И. Кузнецов, А.П. Дмитриев, А.С. Фурман. ФТП, 28, 1010 (1994)
  18. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
  19. О.В. Вакуленко, О.А. Гусева. ФТП, 15, 1528 (1981)
  20. C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
  21. В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
  22. Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. (М., Наука, 1968)
  23. S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (2nd ed. Wiley, N.Y., 1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.