Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах
Кузнецов Н.И.1, Edmond J.A2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Cree Research Inc., Meridian Parkway, Suite 176, Durham, NC, USA
Поступила в редакцию: 30 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.
- Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, 230 (1961)
- Ф.М. Берковский, С.М. Рывкин, Н.Б. Строкан. ФТТ, 3, 3535 (1961)
- М.М. Аникин, А.С. Зубрилов, А.А. Лебедев, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. ФТП, 25, 479 (1991)
- N.T. Son, E. Sorman, W.M. Chen, O. Kordina, B. Monemar, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2687 (1994)
- St.G. Muller, D. Hofmann, A. Winnacker, E.N. Mokhov, Yu.A. Vodakov. Inst. Phys. Conf. Ser. 142, Chap. 2, 361 (1996)
- Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 4, 3170 (1962)
- А.И. Вейнгер, К.П. Конин. ФТП, 2, 294 (1968)
- Г. Борда, Э.Е. Виолин, Г.Н. Виолина, Ю.М. Таиров. ФТТ, 11, 2551 (1969)
- H.S. Kong, J.T. Glass, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 64, 2672 (1988)
- J.W. Palmour, R.F. Davis, T.M. Wallett, K.B. Bhasin. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 590 (1986)
- T. Tachibana, H.S. Kong, Y.C. Wang, R.F. Davis. J. Appl. Phys., 67, 6375 (1990)
- D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
- Н.И. Кузнецов. ФТП, 27, 1674 (1993)
- W. Suttrop, G. Pensl, W.J. Choyke, R. Stein, S. Leibenzeder. J. Appl. Phys., 72, 3708 (1992)
- H.J. van Daal, W.F. Knippenbery, J.D. Wasscher. J. Phys. Chem. Sol., 24, 109 (1963)
- M. Ikeda, H. Matsunami, T. Tanaka. Phys. Rev. B, 22, 2842 (1980)
- Н.И. Кузнецов, А.П. Дмитриев, А.С. Фурман. ФТП, 28, 1010 (1994)
- В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
- О.В. Вакуленко, О.А. Гусева. ФТП, 15, 1528 (1981)
- C.T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
- В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
- Ю.Р. Носов. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. (М., Наука, 1968)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (2nd ed. Wiley, N.Y., 1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.