Вышедшие номера
Влияния глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах
Кузнецов Н.И.1, Edmond J.A2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Cree Research Inc., Meridian Parkway, Suite 176, Durham, NC, USA
Поступила в редакцию: 30 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Описаны результаты исследования глубоких уровней в p-базе 6H-SiC-диодов. Глубокий уровень неизвестной природы с энергией ионизации Ec-1.45 эВ является центром эффективной рекомбинации неосновных носителей, который контролирует рекомбинационные процессы. Уровень с энергией ионизации Ec-0.16 эВ приписывается к донорной примеси азота. Процессы захвата и термоактивации электронов, связанные с этим уровнем, значительно увеличивают длительность релаксации тока через p-n-переход.