Вышедшие номера
Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe
Вакуленко О.В.1, Рыжиков В.Д.1, Силин В.И.1, Старжинский Н.Г.1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

В интервале температур T=80/500 K исследованы спектрально-кинетические характеристики рентгенолюминесценции кристаллов ZnSe, легированных Zn, Se и Te в процессе роста и отожженных (или неотожженных) в парах Zn. Для кристаллов ZnSe, выращенных из шихты стехиометрического состава или с примесью халькогенов, свойственны минимальный уровень послесвечения, а также резкое возрастание интенсивности РЛ и смещение ее максимума из инфракрасной области в красную после их отжига в цинке. Кристаллы ZnSe, выращенные из шихты, содержащей избыток Zn, имеют относительно низкий выход РЛ при значительном уровне послесвечения. Предполагается, что при выращивании кристаллов, активированных Te, в них генерируются термодинамически устойчивые комплексы VZnTeSe, являющиеся центрами излучательной рекомбинации. Введение избытка Zn в исходную шихту приводит к уменьшению концентрации VZn и, следовательно, центров излучательной рекомбинации. Показано, что при концентрациях свободных электронов n<1018 см-3 зависимость времени послесвечения tau от n может быть описана в рамках модели излучательной рекомбинации через один примесный уровень, а при n>1018 см-3 наблюдается уменьшение tau с ростом n, которое не может быть объяснено в рамках этой простой модели. Предполагается, что в кристаллах с n>1018 см-3, полученных в результате длительного отжига в парах Zn, формируются центры излучательной рекомбинации нового типа.
  1. А.Н. Георгобиани, М.Б. Котляревский. Физика соединений A IIBVI (М., Наука, 1986) c. 72
  2. В.Д. Рыжиков. Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений AIIBVI. Получение, свойства, применение (М., НИИТЭХИМ, 1989)
  3. В.Д. Рыжиков, Э.Ф. Чайковский. Изв. АН СССР. Сер. физ., 43, 1150 (1979)
  4. В.Д. Рыжиков. Высокоэффективные полупроводниковые сцинтилляционные детекторы на основе соединений AIIBVI (М., НИИТЭХИМ, 1984)
  5. В.Д. Рыжиков, Н.Г. Старжинский. УФЖ, 33, 818 (1988)
  6. В.Д. Рыжиков. Разработка автоматических систем контроля радиационной безопасности АЭС на базе детекторов нового поколения "сцинтиллятор-фотодиод" (Харьков, ВНИИМ, 1990) с. 3
  7. Э.Я. Мелликов, Я.В. Хийе, П.Л. Кукк, И.В. Карпенко. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 18, 363 (1982)
  8. В.И. Силин, Н.Г. Старжинский, М.Ш. Файнер. Орг. и неорг. матер., N 26, 7 (1990)
  9. С.М. Игнатов, В.Д. Рыжиков, В.И. Силин, Н.Г. Старжинский, Ю.А. Яковлев. Орг. и неогр. матер., N 26, 14 (1990)
  10. H.L. Oczkowski. Phys. St. Sol. (a), 68, 199 (1981)
  11. S. Kishida, K. Matsuura, H. Nagase, H. Mori, F. Takeda, I. Tsurumi. Phys. St. Sol. (a), 95, 155 (1986)
  12. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  13. Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973)
  14. V.B. Sandomirskii, A.G. Zhdan, M.A. Messerer, I.B. Gurlyaev, Ya.A. Pyasta, A.S. Darevskii. Sol. St. Electron., 16, 1097 (1973)
  15. V.D. Ryzhikov, V.I. Silin, N.G. Starzhinsky. Nucl. Tracks Radiat. Meas., 21, 53 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.