Вышедшие номера
Влияние сверхстехиометрических компонентов на спектрально-кинетические характеристики люминесценции изовалентно легированных кристаллов ZnSe
Вакуленко О.В.1, Рыжиков В.Д.1, Силин В.И.1, Старжинский Н.Г.1
1Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 22 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

В интервале температур T=80/500 K исследованы спектрально-кинетические характеристики рентгенолюминесценции кристаллов ZnSe, легированных Zn, Se и Te в процессе роста и отожженных (или неотожженных) в парах Zn. Для кристаллов ZnSe, выращенных из шихты стехиометрического состава или с примесью халькогенов, свойственны минимальный уровень послесвечения, а также резкое возрастание интенсивности РЛ и смещение ее максимума из инфракрасной области в красную после их отжига в цинке. Кристаллы ZnSe, выращенные из шихты, содержащей избыток Zn, имеют относительно низкий выход РЛ при значительном уровне послесвечения. Предполагается, что при выращивании кристаллов, активированных Te, в них генерируются термодинамически устойчивые комплексы VZnTeSe, являющиеся центрами излучательной рекомбинации. Введение избытка Zn в исходную шихту приводит к уменьшению концентрации VZn и, следовательно, центров излучательной рекомбинации. Показано, что при концентрациях свободных электронов n<1018 см-3 зависимость времени послесвечения tau от n может быть описана в рамках модели излучательной рекомбинации через один примесный уровень, а при n>1018 см-3 наблюдается уменьшение tau с ростом n, которое не может быть объяснено в рамках этой простой модели. Предполагается, что в кристаллах с n>1018 см-3, полученных в результате длительного отжига в парах Zn, формируются центры излучательной рекомбинации нового типа.