Изменение структурных и электрофизических свойств нелегированных монокристаллов InAs инфракрасным лазерным облучением
Пляцко С.В.1, Кладько В.П.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 12 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Установлено значительное изменение электрофизических свойств и структурных характеристик монокристаллов InAs при воздействии инфракрасного лазерного излучения с энергией квантов, меньшей ширины запрещенной зоны InAs, и плотностью мощности лазерного излучения W<50 Вт/см2. Эти изменения связаны с преобразованием и перераспределением собственных точечных дефектов в поле электромагнитной волны лазерного излучения.
- П.К. Кашкаров, В.И. Петров, Д.В. Птицын. ФТП, 23, 2080 (1989)
- F.F. Sizov, S.V. Plyatsko. J. Cryst. Growth, 92, 571 (1988)
- I. Fujimoto. Jap. J. Appl. Phys., 23, 287 (1984)
- В.В. Лидер, Ф.Н. Чуховский, В.Н. Рожанский. ФТТ, 19, 1231 (1977)
- D.L. Rode. Phys. Rev. B, 3, 3287 (1971)
- Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, L.A. Korovina. J. Phys.: Condens. Matter., 2, 10 391 (1990)
- В.П. Кладько, С.В. Пляцко. Письма ЖТФ, 22, 32 (1996)
- А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, А.А. Гореленок, Т.С. Лагунова, А.М. Литвак, М.А. Сиповская, С.П. Старосельцева, В.А. Тихомирова, В.В. Шерстнев. ФТП, 26, 1612 (1992)
- А.Н. Баранов, Т.И. Воронина, Т.С. Лагунова, М.А. Сиповская, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 27, 421 (1993)
- И.М. Цидильковский. УФН, 162, 63 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук