"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Нестационарная спектроскопия глубоких уровней в лазерных структурах InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками
Соболев М.М.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Максимов М.В.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Сообщается о проведенных исследованиях структур InAs/GaAs с вертикально связанными квантовыми точками, встроенными в активную область лазерного диода, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) и исследованиях вольт-фарадных характеристик. Обнаружено, что в зависимости от температуры предварительного изохронного отжига образца Ta<Tac=245 K или Ta>Tac и условий охлаждения --- с напряжением смещения Vb=0 или приложенным импульсом заполнения Vf>0 --- спектр DLTS претерпевает существенные изменения. Они связываются с проявлением эффекта кулоновского взаимодействия носителей, захваченных в квантовую точку, с точечными дефектами, локализованными в ближайших окрестностях квантовых точек, а также с образованием диполя, возникающего при Ta<Tac и охлаждении при Vf>0, или с его отсутствием при Ta>Tac и Vb=0. Обнаружено, что в диполе происходит туннелирование носителей с более глубоких состояний дефектов на более мелкие состояния квантовых точек с последующей их эмиссией в зоны.
  1. Y. Arakawa, A. Yariv. IEEE J. Quant. Electron., QE-22, 1887 (1986)
  2. V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele (Принято к печати в J. Cryst. Growth, 175 (1997) )
  3. D.V. Lang. J. Appl. Phys., 45, 3023 (1974)
  4. T. Matsumoto, Y. Ito, T. Ishida. Jpn. J. Appl. Phys., 28, 1541 (1989)
  5. K.L. Jiao, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 73, 271 (1993)
  6. S. Anand, N. Carlsson, M.-E. Pistol, L. Samuelson, W. Seifert. Appl. Phys. Lett., 67, 3016 (1995)
  7. П.Н. Брунков, С.Г. Конников, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, А.Ю. Егоров, М.В. Максимов, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьев. ФТП, 30, 924 (1996). [Semiconductors, 30, 492 (1996)]
  8. A. Mitonneau, G.M. Martin, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 666 (1977)
  9. П.Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С.Г. Конников, В.Г. Никитин, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, 25, 338 (1991)
  10. G.M. Martin, A. Mitonneau, A. Mircea. Electron. Lett., 13, 191 (1977)
  11. L. Samuelson, P. Omling, H.G. Grimmeis. J. Cryst. Growth., 55, 164 (1981)
  12. D.L. Partin, J.W. Chen, A.G. Milnes, L.F. Vassamillet. J. Appl. Phys., 50, 6845 (1979)
  13. M.M. Sobolev, I.V. Kochnev, M.I. Papentsev, V.S. Kalinovsky. Semicond. Sci. Technol., 11, 1692 (1996)
  14. S.R. Forrest, O.K. Kim. J. Appl. Phys., 53, 5738 (1982)
  15. K. Kazmierski, P. Philippe, P. Poulain, B. de Cremoux. J. Appl. Phys., 61, 1941 (1987)
  16. F. Capasso, F. Beltram. Mater. Soc. Symp. Proc., 104, 47 (1988)
  17. M. Grundmann, N.N. Ledensov, O. Stier, D. Bimberg, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 68, 979 (1996)
  18. Ph. Won Yu, W.C. Mitchel, M.G. Mier, S.S. Li, W.L. Wang. Appl. Phys. Lett., 41, 532 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.