Вышедшие номера
Массивы напряженных квантовых точек InAs в матрице (In,Ga)As, выращенные на подложках InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Устинов В.М.1, Жуков А.Е.1, Цацульников А.Ф.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Максимов М.В.1, Суворова А.А.1, Берт Н.А.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы массивы напряженных островков InAs в матрице (In,Ga)As на подложке InP(100) и проведено исследование их структурных и оптических свойств. Согласно данным просвечивающей электронной микроскопии и дифракции быстрых электронов, критическая толщина, отвечающая началу островкового роста, составляет 3 монослоя. Образующиеся островки InAs являются когерентно напряженными, размер основания варьируется от 20 до 90 нм. Формирование островков приводит к появлению в спектрах фотолюминесценции доминирующей длинноволновой линии, сдвигающейся в сторону меньшей энергии с увеличением эффективной толщины InAs. Излучение, обусловленное островками InAs, перекрывает диапазон длин волн 1.65/2 мкм.