"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
Астрова Е.В.1, Ратников В.В.1, Витман Р.Ф.1, Лебедев А.А.1, Ременюк А.Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в условиях различного освещения: естественного, с помощью лампы накаливания и излучения ртутной лампы с фильтром и без фильтра. Структура слоев изучалась методом рентгеновской двухкристальной дифрактометрии, состав контролировался с помощью спектров ИК поглощения, излучательные свойства --- по спектрам фотолюминесценции (ФЛ). Установлено, что электрохимическое травление при подсветке приводит к получению ПК с более высокой пористостью и с более яркой ФЛ, максимум которой сдвинут в коротковолновую область. Эти изменения сопровождаются большим разупорядочением структуры и возрастанием содержания кислорода в слое. Делается вывод о том, что подсветка ускоряет реакцию химического взаимодействия ПК с электролитом за счет окисления. При хранении на воздухе в ПК с высокой пористостью происходит тушение ФЛ, в слоях с более низкой пористостью, наоборот, --- возгорание. Старение ПК характеризуется ростом микродеформации слоев, уменьшением размеров кристаллитов с частичной потерей ими когерентности с подложкой и увеличением доли аморфной фазы.
  • T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  • F. Yan. Phys. Sol. (a), 142, K 1--4
  • H. Yoon, M.S. Goorsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 378, 893 (1995)
  • T. Assano, K. Higa, S. Aoki, M. Tonouchi, T. Miyasano. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L373 (1992)
  • N. Koshida, H. Koyama. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L 1221 (1991)
  • Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993)
  • A. Halimaoui. In: Porous Silicon Science and Technology. Winter school, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrien. (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, Les Editions de Physique Les Ulis, 1995)
  • Р.Н. Кютт. ФТТ, 31, 270 (1989)
  • L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
  • H. Koyama, T. Nakagawa, T. Ozaki, N. Koshida. Appl. Phys. Lett., 65, 1656 (1994)
  • J. Suda, T. Ban, T. Koizumi, H. Koyama, J. Tezuka, Sh. Shin, N. Koshida. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 581 (1994)
  • E.V. Astrova, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, D.S. Poloskin, A.D. Remenyuk, Yu.V. Rud, R.F. Vitman. MRS Symp. Proc., 405, 185 (1996)
  • Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Р.Ф. Витман, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 507 (1996)
  • V. Petrova-Koch, T. Mucschnik, A. Kux, B.K. Meyer, F. Koch, V. Lemann. Appl. Phys. Lett., 61, 943 (1992)
  • R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rotschild. Appl. Phys. Lett., 67, 1761 (1995)
  • F.K. Reinhart, R.A. Logan. J. Appl. Phys., 44, 3171 (1973)
  • T. Ito, H. Kiyama, T. Yasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Physica B, 170, 535 (1991)
  • T.Ito, T. Jasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L 201 (1990)
  • К.П. Рябошапка. Завод лаб., 47, 26 (1981)
  • D. Bellet, S. Billat, G. Dolino, M. Ligeon, C. Meyer, F. Muller. Sol. St. Commun., 86, 51 (1993)
  • O. Belmont, D. Bellet, J. Brechet. J. Appl. Phys., 79, 7586 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.