"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием
Астрова Е.В.1, Ратников В.В.1, Витман Р.Ф.1, Лебедев А.А.1, Ременюк А.Д.1, Рудь Ю.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Приводятся результаты исследования слоев пористого кремния (ПК), полученного электрохимическим травлением Si p-типа проводимости в условиях различного освещения: естественного, с помощью лампы накаливания и излучения ртутной лампы с фильтром и без фильтра. Структура слоев изучалась методом рентгеновской двухкристальной дифрактометрии, состав контролировался с помощью спектров ИК поглощения, излучательные свойства --- по спектрам фотолюминесценции (ФЛ). Установлено, что электрохимическое травление при подсветке приводит к получению ПК с более высокой пористостью и с более яркой ФЛ, максимум которой сдвинут в коротковолновую область. Эти изменения сопровождаются большим разупорядочением структуры и возрастанием содержания кислорода в слое. Делается вывод о том, что подсветка ускоряет реакцию химического взаимодействия ПК с электролитом за счет окисления. При хранении на воздухе в ПК с высокой пористостью происходит тушение ФЛ, в слоях с более низкой пористостью, наоборот, --- возгорание. Старение ПК характеризуется ростом микродеформации слоев, уменьшением размеров кристаллитов с частичной потерей ими когерентности с подложкой и увеличением доли аморфной фазы.
  1. T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. F. Yan. Phys. Sol. (a), 142, K 1--4
  3. H. Yoon, M.S. Goorsky. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 378, 893 (1995)
  4. T. Assano, K. Higa, S. Aoki, M. Tonouchi, T. Miyasano. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L373 (1992)
  5. N. Koshida, H. Koyama. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L 1221 (1991)
  6. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1961 (1993)
  7. A. Halimaoui. In: Porous Silicon Science and Technology. Winter school, Ed. by J.-C. Vial, J. Derrien. (Springer Verlag, Berlin Heidelberg, Les Editions de Physique Les Ulis, 1995)
  8. Р.Н. Кютт. ФТТ, 31, 270 (1989)
  9. L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
  10. H. Koyama, T. Nakagawa, T. Ozaki, N. Koshida. Appl. Phys. Lett., 65, 1656 (1994)
  11. J. Suda, T. Ban, T. Koizumi, H. Koyama, J. Tezuka, Sh. Shin, N. Koshida. Jpn. J. Appl. Phys., 33, 581 (1994)
  12. E.V. Astrova, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, D.S. Poloskin, A.D. Remenyuk, Yu.V. Rud, R.F. Vitman. MRS Symp. Proc., 405, 185 (1996)
  13. Е.В. Астрова, В.В. Емцев, А.А. Лебедев, Р.Ф. Витман, Д.С. Полоскин, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 30, 507 (1996)
  14. V. Petrova-Koch, T. Mucschnik, A. Kux, B.K. Meyer, F. Koch, V. Lemann. Appl. Phys. Lett., 61, 943 (1992)
  15. R.R. Kunz, P.M. Nitishin, H.R. Clark, M. Rotschild. Appl. Phys. Lett., 67, 1761 (1995)
  16. F.K. Reinhart, R.A. Logan. J. Appl. Phys., 44, 3171 (1973)
  17. T. Ito, H. Kiyama, T. Yasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Physica B, 170, 535 (1991)
  18. T.Ito, T. Jasumatsu, H. Watabe, A. Hiraki. Jpn. J. Appl. Phys., 29, L 201 (1990)
  19. К.П. Рябошапка. Завод лаб., 47, 26 (1981)
  20. D. Bellet, S. Billat, G. Dolino, M. Ligeon, C. Meyer, F. Muller. Sol. St. Commun., 86, 51 (1993)
  21. O. Belmont, D. Bellet, J. Brechet. J. Appl. Phys., 79, 7586 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.