"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах
Горячев Д.Н.1, Сресели О.М.1, Беляков Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Предложена обобщенная модель возникновения видимой и инфракрасной электролюминесценции пористого кремния в контакте с окисляющим электролитом. Согласно модели, видимая электролюминесценция возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в электрически изолированные квантово-размерные микрокристаллиты кремния, в то время как инфракрасная электролюминесценция является следствием монополярной инжекции дырок из электролита в макрокристаллы. Предложен механизм инжекции электронов из электролита. Сделан вывод о том, что характер электролюминесценции не должен зависеть от величины и даже типа проводимости кремниевой подложки.
  1. P.M.M.C. Bressers, J.W.J. Knapen, E.A. Meulenkamp, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 61, 108 (1992)
  2. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1815 (1993)
  3. B. Pettinger, H.-R. Schoeppel, H. Gerischer. Ber. Bunsen Ges., 80, 849 (1976)
  4. A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, J.C. Vial. Phys. Rev. Lett., 71, 637 (1993)
  5. M.W. Cole, J.F. Harvey, R.A. Lux, D.W. Eckart. Appl. Phys. Lett., 60, 2800 (1992)
  6. R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias. J. Electrochem. Soc., 138, 3406 (1991)
  7. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, Д.И. Ковалев, Ф. Кох, В. Петрова-Кох, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 29, 1288 (1995); O. Sreseli, V. Petrova-Koch, D. Kovalev, T. Muschik, S. Hofreiter, F. Koch. Proc 22th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Canada, Vancouver, World Scientific, 1994) v. 3, p. 2117
  8. O.M. Sreseli, G. Polisski, D. Kovalev, D.N. Goryachev, L.V. Belyakov, F. Koch. Proc. 188th ECS Meeting "Advanced Luminescent Materials" ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshiaa, and S.R.J. Brueck (1995) PV 95--25, p. 24. [Electrochem. Soc. Proc. Ser. (Pennington, N.J., 1997)]. О.М. Сресели, Д.И. Ковалев, Г. Полисский, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, Ф. Кох. Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников (М., Изд. РАН, 1996) т. 2, с. 218
  9. Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. Письма ЖТФ, 23, вып. 1, 58 (1997)
  10. Д. Добош. Электрохимические константы (М., Мир, 1980) с. 226, [Пер. с англ. и венг.: D. Dobos. Electrochemical Data (Budapest, Academiai, 1977)]
  11. Р.С. Моррисон. Химическая физика поверхности твердого тела (М., Мир, 1980) [Пер. с англ.: S.R. Morrison. The Chemical Physics of Surfaces (N.-Y.--London, Plenum Press, 19877)]
  12. Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.