Механизм электролюминесценции пористого кремния в электролитах
Горячев Д.Н.1, Сресели О.М.1, Беляков Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Предложена обобщенная модель возникновения видимой и инфракрасной электролюминесценции пористого кремния в контакте с окисляющим электролитом. Согласно модели, видимая электролюминесценция возникает благодаря биполярной инжекции электронов и дырок из электролита в электрически изолированные квантово-размерные микрокристаллиты кремния, в то время как инфракрасная электролюминесценция является следствием монополярной инжекции дырок из электролита в макрокристаллы. Предложен механизм инжекции электронов из электролита. Сделан вывод о том, что характер электролюминесценции не должен зависеть от величины и даже типа проводимости кремниевой подложки.
- P.M.M.C. Bressers, J.W.J. Knapen, E.A. Meulenkamp, J.J. Kelly. Appl. Phys. Lett., 61, 108 (1992)
- Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 27, 1815 (1993)
- B. Pettinger, H.-R. Schoeppel, H. Gerischer. Ber. Bunsen Ges., 80, 849 (1976)
- A. Bsiesy, F. Muller, M. Ligeon, F. Gaspard, R. Herino, R. Romestain, J.C. Vial. Phys. Rev. Lett., 71, 637 (1993)
- M.W. Cole, J.F. Harvey, R.A. Lux, D.W. Eckart. Appl. Phys. Lett., 60, 2800 (1992)
- R.C. Anderson, R.S. Muller, C.W. Tobias. J. Electrochem. Soc., 138, 3406 (1991)
- Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, Д.И. Ковалев, Ф. Кох, В. Петрова-Кох, О.М. Сресели, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 29, 1288 (1995); O. Sreseli, V. Petrova-Koch, D. Kovalev, T. Muschik, S. Hofreiter, F. Koch. Proc 22th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Canada, Vancouver, World Scientific, 1994) v. 3, p. 2117
- O.M. Sreseli, G. Polisski, D. Kovalev, D.N. Goryachev, L.V. Belyakov, F. Koch. Proc. 188th ECS Meeting "Advanced Luminescent Materials" ed. by D.J. Lockwood, P.M. Fauchet, N. Koshiaa, and S.R.J. Brueck (1995) PV 95--25, p. 24. [Electrochem. Soc. Proc. Ser. (Pennington, N.J., 1997)]. О.М. Сресели, Д.И. Ковалев, Г. Полисский, Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, Ф. Кох. Тез. докл. II Российской конф. по физике полупроводников (М., Изд. РАН, 1996) т. 2, с. 218
- Д.Н. Горячев, О.М. Сресели, Л.В. Беляков. Письма ЖТФ, 23, вып. 1, 58 (1997)
- Д. Добош. Электрохимические константы (М., Мир, 1980) с. 226, [Пер. с англ. и венг.: D. Dobos. Electrochemical Data (Budapest, Academiai, 1977)]
- Р.С. Моррисон. Химическая физика поверхности твердого тела (М., Мир, 1980) [Пер. с англ.: S.R. Morrison. The Chemical Physics of Surfaces (N.-Y.--London, Plenum Press, 19877)]
- Ф.Ф. Волькенштейн. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции (М., Наука, 1987)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.