Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
Гук Е.Г.1, Налет Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Для изготовления многопереходных кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n переходами разработана относительно простая технология (без применения фотолитографии), основанная на диффузионной сварке и ионно-плазменном осаждении диэлектрического покрытия. Эффективный коэффициент собирания таких структур не зависит от длины волны падающего света в интервале длин волн lambda=340/1080 нм.
- А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 182
- М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985) с. 30
- А.П. Ландсман, Д.С. Стребков. ФТП, 4, 1922 (1970)
- C. Goradia, M.G. Goradia. 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Buton Rouge, La, 1976) p. 789
- Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман, Н.А. Токранова. Письма ЖТФ, 21, 40 (1995)
- Г.Н. Сурженков, Е.Д. Хуторянский, О.М. Корольков. В сб.: Технология силовых полупроводниковых приборов (Таллин, Валгус, 1987) с. 47
- Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1, с. 125
- Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984) с. 47
- D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
- В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989) с. 116
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
