"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Характеристики кремниевых многопереходных солнечных элементов с вертикальными p-n-переходами
Гук Е.Г.1, Налет Т.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Для изготовления многопереходных кремниевых солнечных элементов с вертикальными p-n переходами разработана относительно простая технология (без применения фотолитографии), основанная на диффузионной сварке и ионно-плазменном осаждении диэлектрического покрытия. Эффективный коэффициент собирания таких структур не зависит от длины волны падающего света в интервале длин волн lambda=340/1080 нм.
  1. А. Фаренбрух, Р. Бьюб. Солнечные элементы. Теория и эксперимент (М., Энергоатомиздат, 1987) с. 182
  2. М.М. Колтун. Оптика и метрология солнечных элементов (М., Наука, 1985) с. 30
  3. А.П. Ландсман, Д.С. Стребков. ФТП, 4, 1922 (1970)
  4. C. Goradia, M.G. Goradia. 12th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (Buton Rouge, La, 1976) p. 789
  5. Е.Г. Гук, Н.С. Зимогорова, М.З. Шварц, В.Б. Шуман, Н.А. Токранова. Письма ЖТФ, 21, 40 (1995)
  6. Г.Н. Сурженков, Е.Д. Хуторянский, О.М. Корольков. В сб.: Технология силовых полупроводниковых приборов (Таллин, Валгус, 1987) с. 47
  7. Технология СБИС, под ред. С. Зи (М., Мир, 1986) т. 1, с. 125
  8. Е.Г. Гук, А.В. Ельцов, В.Б. Шуман, Т.А. Юрре. Фоторезисты-диффузанты в полупроводниковой технологии (Л., Наука, 1984) с. 47
  9. D. Lax, S.F. Neustadter. J. Appl. Phys., 25, 1148 (1954)
  10. В.М. Андреев, В.А. Грилихес, В.Д. Румянцев. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения (Л., Наука, 1989) с. 116

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.