"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки
Дьяконова Н.В.1, Левинштейн М.Е.1, Pascal F.2, Румянцев С.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Centre d'Electronique et de Micro-optoelectronique de Montpellier, CNRS-Universite UMR, Place Bataillon, U.M. II, Montpellier
Поступила в редакцию: 21 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

С помощью измерения низкочастотного шума в условиях сильного геометрического магнетосопротивления исследована природа шума 1/f, проявляющегося в сильно легированном n-GaAs (концентрация электронов n0~=1017 см-3) при зона-зонной подсветке. Показано, что такой шум имеет объемную природу и обусловлен флуктуациями числа носителей (а не подвижности). Впервые экспериментально показана возможность отличать поверхностный шум от объемного, используя измерения в условиях сильного геометрического магнетосопротивления.
  1. J. Graffeuil, J. Caminade. Electron. Lett., 10, 266 (1974)
  2. C.H. Suh, A. van der Ziel, R.P. Jindal. Sol. St. Electron., 24, 217 (1981)
  3. J.R. Hellum, L.M. Rucker. Sol. St. Electron., 28, 549 (1985)
  4. M. Pouysegur, J. Graffeuil, J.L. Cazoux. IEEE Trans. Electron. Dev., 34, 2178 (1987)
  5. М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. Письма ЖТФ, 19, 55 (1993)
  6. M. Takano. IEEE Trans. Electron. Dev., 40, 2060 (1993)
  7. M. Chertouk, A. Chovet. IEEE Trans. Electron. Dev., 43, 123 (1996)
  8. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 25, 2065 (1991)
  9. Sh. Kogan. Electronics noise and fluctations in solids (Cambridge Univ. Press, 1996) p. 354
  10. Н.В. Дьяконова, М.Е. Левинштейн. ФТП, 23, 283 (1989)
  11. М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев. ФТП, 17, 1830 (1983).
  12. M.H. Song, H.S. Min. J. Appl. Phys., 58, 4221 (1985)
  13. T.G.M. Kleinpenning, P.P.J. Huinen. Abstracts of 9th Int. Conf. on Noise in Phys. Systems (Montreal, Canada, 1987) p. 136
  14. M.H. Song, A.N. Burdas, A. van der Ziel, A.D. van Rheenen. J. Appl. Phys., 64, 727 (1988)
  15. T.R. Jervis. E.F. Jonson. Sol. St. Electron., 13, 181 (1970)
  16. D.L. Rode. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson and A.C. Beer (Academic Press, N.Y., 1975)
  17. N.V. Dyakonova, M.E. Levinshtein, J.W. Palmour, S.L. Rumyantsev. Semicond. Sci. Technol., 10, 1126 (1995)
  18. J. Copeland. IEEE Trans. Electron. Dev., 18, 50 (1971).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.