Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Исследован продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As: зависимости продольной фотоэдс Vph l от координаты светового пятна, температуры и магнитного поля. Получены линейные зависимости от координаты светового пятна, наблюдается согласие экспериментальных и теоретических значений Vph l. Температурный ход Vph l в интервале 100/ 300 K объяснен изменением подвижности носителей тока, обусловленным тепловым рассеянием на решетке. В магнитном поле наблюдается рост Vph l вследствие фотомагнитного эффекта.
- С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. Письма ЖТФ, 17, вып. 5, 1 (1991)
- С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. Письма ЖТФ, 21, вып. 19, 50 (1995)
- U. Nin, T. Matsuda, H. Sadamatzu, M. Takai. Japan. J. Appl. Phys., 15, 601 (1976)
- Ю.В. Равич. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967) гл. 1, 3
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
