"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследован продольный фотоэффект в p-n-переходах на основе In0.53Ga0.47As: зависимости продольной фотоэдс Vph l от координаты светового пятна, температуры и магнитного поля. Получены линейные зависимости от координаты светового пятна, наблюдается согласие экспериментальных и теоретических значений Vph l. Температурный ход Vph l в интервале 100/ 300 K объяснен изменением подвижности носителей тока, обусловленным тепловым рассеянием на решетке. В магнитном поле наблюдается рост Vph l вследствие фотомагнитного эффекта.
  1. С.В. Слободчиков, Г.Г. Ковалевская, М.М. Мередов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов. Письма ЖТФ, 17, вып. 5, 1 (1991)
  2. С.В. Слободчиков, Е.В. Руссу, Х.М. Салихов, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. Письма ЖТФ, 21, вып. 19, 50 (1995)
  3. U. Nin, T. Matsuda, H. Sadamatzu, M. Takai. Japan. J. Appl. Phys., 15, 601 (1976)
  4. Ю.В. Равич. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение (М., Сов. радио, 1967) гл. 1, 3

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.