"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокие центры и отрицательный температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе SiC
Лебедев А.А.1, Ортоланд С.2, Реноуд К.2, Локателли М.Л.2, Плансон Д.2, Шант Ж.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2CEGELY-INSA, Lyon, France
Поступила в редакцию: 28 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследован температурный коэффициент напряжения пробоя p-n-структур на основе 6H-SiC. Показано, что температурная зависимость напряжения пробоя может быть объяснена перезарядкой глубоких акцепторных уровней в слое объемного заряда. Результаты проведенных расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для легированных бором p-n-структур на основе 6H-SiC.
  1. А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма в ЖТФ, 7, 1335 (1981)
  2. Ю.А. Водаков, А.О. Константинов, Д.П. Литвин, В.И. Санкин. Письма ЖТФ, 7, 705 (1981)
  3. А.П. Дмитриев, А.О. Константинов, Д.П. Литвин. ФТП, 17, 1093 (1983)
  4. М.М. Аникин, С.Н. Вайнштейн, М.Е. Левинштейн, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 545 (1988)
  5. М.М. Аникин, М.Е. Левинштейн, И.В. Попов, В.П. Растегаев, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 22, 1574 (1988)
  6. А.С. Кюрегян, П.Н. Шлыгин. ФТП, 23, 1164 (1989)
  7. Е.В. Астрова, В.М. Волле, В.Б. Воронков, В.А. Козлов, А.А. Лебедев. ФТП, 20, 2122 (1986)
  8. M.M. Anikin, A.A. Lebedev, S.N. Pyatko, A.M. Strel'chuk, A.L. Syrkin. Mater. Sci. Eng., 11, 113 (1992)
  9. А.А. Лебедев, А.Н. Андреев, А.А. Мальцев, М.Г. Растегаева, Н.С. Савкина, В.Е. Челноков. ФТП, 29, 1635 (1995)
  10. M.S. Mazzola, S.E. Saddow, P.G.Neudeck, V.K. Lakdawala, S. We. Appl. Phys. Lett., 64, 2730 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.