"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование примесного состава полупроводниковых структур на основе арсенида галлия с использованием нейтронно-активационного анализа
Дутов А.Г.1, Комар В.А.1, Ширяев С.В.1, Смахтин Л.А.1
1Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 12 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

С использованием высокочувствительного метода нейтронно-активационного анализа проведено исследование примесного состава в пластинах арсенида галлия. Определен уровень содержания в них Se, Cr, Ag, Fe, Zn, Co и Sb, а также вариации содержания этих примесей для различных партий пластин. Показаны возможности использования нейтронно-активационного анализа в сочетании с послойным химическим травлением для изучения объемного распределения примесных элементов в полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия.
  1. Б.В. Луфт, В.А. Переводчиков, Л.Н. Возликова. В сб.: Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников (М., Радио и связь, 1982) с. 136
  2. Т.Г. Югова, А.В. Говорков, А.С. Брук. Электрон. техника. Материалы, 2, 24 (1984)
  3. D. Brice. J. Mat. Sci., 2, 131 (1967)
  4. W. Kern. J. Electrochem. Soc., 109, 200 (1962)
  5. E. Bujdoso. Proc. Conf. Appl. Phys. Chem. Methods (Budapest, 1963) v. 2, p. 262
  6. K. Kudo, N. Hishinuma. J. Radioanal. Chem., 3, 369 (1969)
  7. K. Kudo, N. Hishinuma. J. Radioanal. Chem., 5, 331 (1970)
  8. А.Г. Дутов, В.А. Комар, С.В. Ширяев, К.Е. Лобанова, В.В. Забродская, Л.П. Можейко. ЖАХ, 49, 76 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.