Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Инжекционный гетеролазер на основе массива вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs
Жуков А.Е.1, Егоров А.Ю.1, Ковш А.Р.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Цацульников А.Ф.1, Зайцев С.В.1, Гордеев Н.Ю.1, Копьев П.С.1, Бимберг Д.2, Алфёров Ж.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 29 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
Исследованы массивы вертикально совмещенных квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs. Показано, что увеличение ширины запрещенной зоны материала матрицы позволяет увеличить энергию локализации квантовых точек относительно края зоны матрицы, а также состояний смачивающего слоя. При использовании в качестве активной области инжекционного лазера это позволяет снизить термическую заселенность более высоко лежащих состояний и таким образом уменьшить значения пороговой плотности тока при комнатной температуре до 63 А/см2. Предложена модель, объясняющая участок отрицательной характеристической температуры, наблюдаемый в области низких температур. Модель основна на предположении перехода от неравновесного к равновесному заселению состояний квантовых точек.
- Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 939 (1982)
- V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, M.V. Maksimov, A.F. Tsatsul'nikov, N.Yu. Gordeev, S.V. Zaitsev, Yu.M. Shernyakov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, J. Behrer, D. Bimberg, A.O. Kosogov, P. Werner, U. Gosele, Proc. 9th Int. Conf. on MBE (Aug. 5--9, 1996, Malibu, CA, USA)
- N.N. Ledentsov, M. Grundmann, N. Kirstaedter, O. Schmidt, R. Heitz, J. Bohrer, D. Bimberg, V.M. Ustinov, V.A. Shehukin, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, S.V. Zaitsev, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, S.S. Ruvimov, P. Werner, U. Gosele, I. Heidenreich. Sol. St. Electron., 40, 785 (1996)
- P.M. Petroff, S.P. DenBaars. Superlat. Microstruct., 15, 15 (1994)
- J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 64, 196 (1994)
- S.V. Zaitsev. N.Yu. Gordeev, Yu.M. Sherniakov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, A.Yu. Egorov, M.V. Mazimov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, N.N. Ledentsov, N. Kirstaedter, D. Bimberg. Proc. 9th Int. Conf. on Suprelattices, Microstructures and Microdevices (14--19 July, 1996, Liege, Belgium).
- М.В. Максимов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Ф. Цацульников, А.О. Косогов, П.С. Копьев, Ж.И. Алфёров, Тез. докл. II Всерос. конф. по физике полупроводников (26 февр.--1 марта 1996, Зеленогорск) т. 1, с. 101.
- A.R. Kovsh, M.A. Odnoblyudov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maksimov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev. Abstracts Int.. Symp. "Nanosturctures: Physics and Technology" (St.Petersburg, 1996) p. 286
- S. Ruvimov, P. Werner, K. Scheerschmidt, U. Gosele, J. Heydenreich, U. Richter, N.N. Ledentsov, M. Grundmann, D. Bimberg, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, P.S.Kop'ev, Zh.I. Alferov. Phys. Rev. B, 51, 14 766 (1995)
- L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
