"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние лазерного излучения на плотность электронных состояний границы раздела диэлектрик--арсенид галлия
Возмилова Л.Н.1, Гаман В.И.1,2, Калыгина В.М.1,2, Панин А.В.1,2, Смирнова Т.П.3
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3Институт неорганической химии Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

Исследовано влияние отжига импульсным лазерным излучением с длинами волн 0.69 и 308 мкм на вольт-фарадные, вольт-сименсные характеристики и плотность поверхностных состояний границы раздела диэлектрик--(n,p)-GaAs в зависимости от плотности энергии излучения.
  1. Б.И. Бедный, Н.В. Байдусь, Т.В. Белич, И.А. Карпович. ФТП, 26, 1383 (1992)
  2. В.Н. Бессолов, А.Ф. Иванков, Е.В. Коненков, Н.В. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, 46 (1995)
  3. С.И. Кириллова, В.Е. Примаченко, В.А. Чернобай. Поверхность, вып. 12, 80 (1994)
  4. В.А. Берковиц, В.Н. Бессолов, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 25, 1406 (1991)
  5. M.S. Carpenter, M.R. Melloch, T.E. Dangan. Appl. Phys. Lett., 53, 60 (1988)
  6. S. Cassette, F. Plais, J. Olver. Surf. Interf. Anal. 16, 1 (1991)
  7. T. Sugino, T. Yamada, K. Matsuda, J. Shiraafuju. Appl. Sur. Sci., 56--68, pt A, 311 (1992)
  8. J.R. Waldrop, R.W. Grant. J. Vac. Sci. Technol. B, 6, 1015 (1988)
  9. K. Kjyanagy, S. Kasar, H. Hasegava. Japan. J. Appl. Phys., 32, 502 (1993)
  10. S.A. Chambers, V.S. Sundaram. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 2256 (1991)
  11. Многослойная тонкопленочная структура. Мацумото йосинари; ниппон дэнки к. к. Заявка 60-223134, Япония. Заяв. 19. 4. 84. N 59-74957, опубл. 7.11.85. МКИ H 01 L21/314, C23C16/30
  12. Г.Ю. Багратишвилли, Р.П. Джанелидзе, Н.И. Курдиана и др. Электрон. техн. Сер. 2, Полупроводниковые приборы, 67, 31 (1972)
  13. M. Yoichi, W. Kazumi, W. Yoshinori. Appl. Phys. Lett., 61, 2993 (1992)
  14. В.П. Воронков, В.М. Калыгина, С.Ю. Муленков, Е.И. Оборина, Е.Г. Сальман, Т.П. Смирнова. ФТП, 26, 1121 (1992)
  15. Т.П. Смирнова, Л.В. Храмова, И.К. Яшкин. Неорг. матер., 28, 1414 (1992)
  16. В.Н. Овсюк. Электронные процессы в полупроводниках с областями пространственного заряда (Новосибирск, 1984)
  17. В.И. Гаман, Н.Н. Иванова, В.М. Калыгина, Е.Б. Судакова. Изв. вузов. Физика, 35, вып. 11, 99 (1992)
  18. В.И. Гаман, В.М. Калыгина, А.В. Панин, Т.П. Смирнова. Поверхность, вып. 5, 18 (1995)
  19. В.И. Емельянов, П.К. Кашкаров. Поверхность, вып. 2, 77 (1990)
  20. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Поверхность, вып. 6, 5 (1995)
  21. А.В. Зотеев, П.К. Кашкаров, В.Ф. Киселев. Поверхность, вып. 5, 97 (1993)
  22. И.С. Беличев, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Вест. МГУ. Сер. 3, 30, 77 (1989)
  23. H. Okigawa, T. Nakayama, K. Talayama, N. Itoh. Sol. St. Commun., 49, 347 (1984)
  24. Арсенид галлия в микроэлектронике, под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена (М.,1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.