Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
Дмитрук Н.Л.1, Борковская О.Ю.1, Мамыкин С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu-GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018) см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.
- В.А. Тягай. ФТТ, 6, 1260 (1964)
- Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 4, 68 (1972)
- О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, М. Дубовински, Р.В. Конакова, О.Н. Мищук, Ю.А. Тхорик, П. Кардош, Ф. Штофаник. Elektrotechn. Cas., 40, 877 (1989)
- Н.Л. Дмитрук, О.Ю. Борковская, О.Н. Мищук, Я. Чарыев. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводниковые приборы, вып. 1, 210 (1991)
- J. Callaway. Phys. Rev., 134, A998 (1964)
- J. Darantes-Davila, A. Lastras-Martinez, P.M. Raccah. Appl. Phys. Lett., 38, 442 (1981)
- Н.Л. Дмитрук, А.К. Терещенко, О.И. Маева, В.И. Ляшенко, А.М. Раскевич. ФТП, 7, 671 (1973)
- N. Nottka, B.O. Seraphin. Phys. Rev. A, 139, A560 (1965)
- В.А. Тягай, О.В. Снитко. Электроотражение света в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1980)
- О.Ю. Борковская, Н.Л. Дмитрук, А.Н. Зюганов, 4, 82 (1983)
- Н.Л. Дмитрук, О.В. Фурсенко, О.Ю. Борковская. Оптоэлектрон. и полупроводн. техн., вып. 27, 115 (1994)
- P.B. Johnson, R.W. Christi. Phys. Rev. B, 6, 4370 (1972)
- D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 27, 985 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук