Вышедшие номера
Измерение длины диффузии неосновных носителей заряда с использованием реальных барьеров Шоттки
Дмитрук Н.Л.1, Борковская О.Ю.1, Мамыкин С.В.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Проанализированы особенности полевой зависимости фототока короткого замыкания реальных барьеров Шоттки на основе сильно легированного полупроводника в условиях осциллирующей зависимости коэффициента поглощения света alpha от напряженности поля в области пространственного заряда и энергии квантов (hnu>Eg). Получено аналитическое выражение для зависимости фототока от толщины области пространственного заряда W при условии alpha W<< 1. Предложена усовершенствованная методика определения длины диффузии неосновных носителей заряда из анализа зависимостей Ip(W) в спектральной области, удовлетворяющей условиям применимости полученных выражений. Проведены также некоторые усовершенствования метода выделения емкости области пространственного заряда из высокочастотной емкости реального барьера Шоттки. Метод опробован на структурах Аu-GaAs с Nd=(4.5· 1016/ 1· 1018) см-3. Независимая проверка метода определения L проведена на основе теоретического описания спектральной зависимости квантовой эффективности структуры.