"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние последовательной имплантации ионов Ag+(Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe
Ибрагимова М.И.1, Барышев Н.С.1, Петухов В.Ю.1, Хайбуллин И.Б.1
1Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 7 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Исследовано влияние двойной последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe (0.2<x=<sssim0.3). Показано, что после имплантации ионов одного химического элемента с последующим диффузионным термическим отжигом при температурах ниже 150/200 K доминирует рекомбинация через локальные уровни, расположенные на 30± 5 мэВ ниже дна зоны проводимости. Последовательная двойная имплантация ионов Ag+ (Cu+) и Xe+ с последующим диффузионным термическим отжигом изменяет ход температурной зависимости времени жизни неравновесных носителей заряда. Установлено, что для кристаллов CdxHg1-xTe с x=0.20/ 0.25 в температурном интервале 700/ 200 K время жизни неравновесных носителей заряда мало (tau<0.15 мкс) и не зависит от температуры. Для кристаллов CdxHg1-xTe с x~= 0.3 рекомбинация неравновесных носителей заряда происходит через уровни двух типов: в области температур 140/ 200 K --- через глубокие уровни Et1~= Ec-51 мэВ, а с понижением температуры (77/ 140 K) --- через более мелкие уровни Et2~= Ec-(16± 2) мэВ.
  1. R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, M.J. Quelch. J. Appl. Phys., 54, 5152(1983)
  2. R.G. Pratt, J. Hewett, P. Capper, C.L. Jones, N. Judd. J. Appl. Phys., 60, 2377 (1986)
  3. D.E. Lacklison, P. Capper. Semicond. Sci. Technol., 2, 33 (1987)
  4. P.S. Wijewarnasuriya, M.D. Lange, S. Sivanathan, J.P. Faurie. J. Appl. Phys., 75, 1005 (1994)
  5. Н.С. Барышев, Б.Л. Гельмонт, М.И. Ибрагимова. ФТП, 24, 209 (1990)
  6. G.L. Destefanis. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 171 (1985)
  7. L.O. Bubulac, W.E. Tennant, D.S. Lo, D.D. Edwall, J.C. Robinson, J.C. Chen, G. Bostrup. J. Vac. Sci. Technol. A, 5, 3166 (1987)
  8. J. Baars, H. Seelewind, Ch. Fritzshe, U. Kaiser, J. Ziegler. J. Cryst. Growth, 86, 762 (1988)
  9. L.O. Bubulac, D.D. Edwall, D. McConnell, R.E. DeWames, E.R. Blazejewski, E.R. Gertner. Semicond. Sci. Technol., 5, N 3S, S45 (1990)
  10. М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, И.Б. Хайбуллин, Ф.И. Ахмедова, А.П. Фадеева. ФТП, 23, 1249 (1989)
  11. Ф.И. Ахмедова, Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 21, 575 (1987)
  12. М.И. Ибрагимова, Н.С. Барышев, В.А. Жихарев, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 29, 1775 (1995)
  13. Н.С. Барышев, М.И. Ибрагимова, И.Б. Хайбуллин. ФТП, 24, 363 (1990)
  14. W. Dexter. Phys. Rev., 181, 1181 (1969)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.