Вышедшие номера
Особенности комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном большими дозами криптона
Галяутдинов М.Ф.1, Курбатова Н.В.1, Моисеев С.А.1, Штырков Е.И.1
1Казанский физико-технический институт при Казанском научном центре Российской академии наук, Казань, Россия
Поступила в редакцию: 30 августа 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Экспериментально обнаружен высокочастотный сдвиг 20 см-1 в спектре комбинационного рассеяния света кремния, имплантированного ионами криптона. На основе данных комбинационного рассеяния света, полученных при различных режимах имплантации Kr+ и лазерного отжига, исследована динамика трансформации микроскопической структуры приповерхностного слоя кремния. Полученные экспериментальные данные хорошо объясняются наличием локальных механических напряжений (~40 кбар), связанных с присутствием тяжелых инертных атомов Kr в узлах решетки.