В последнее время резко возрос интерес к карбиду кремния как полупроводнику, пригодному для изготовления приборов, работающих в экстремальных условиях. Основная задача в настоящее время состоит в массовом получении монокристаллов карбида кремния с низкой концентрацией дефектов и высокой однородностью свойств по сечению. Данная работа посвящена численному моделированию процессов тепло- и массопереноса при выращивании монокристаллов SiC сублимационным методом. Полученные результаты позволяют проследить влияние условий роста на распределение температуры и основных компонентов в паровой фазе, а также радиальный профиль скорости роста монокристалла для различных стадий процесса выращивания.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.