"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Моделирование тепло- и массопереноса в процессе роста монокристаллов карбида кремния
Кириллов Б.А.1, Бакин А.С.1, Солнышкин С.Н.1, Таиров Ю.М.1
1Кафедра микроэлектроники
Поступила в редакцию: 7 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

В последнее время резко возрос интерес к карбиду кремния как полупроводнику, пригодному для изготовления приборов, работающих в экстремальных условиях. Основная задача в настоящее время состоит в массовом получении монокристаллов карбида кремния с низкой концентрацией дефектов и высокой однородностью свойств по сечению. Данная работа посвящена численному моделированию процессов тепло- и массопереноса при выращивании монокристаллов SiC сублимационным методом. Полученные результаты позволяют проследить влияние условий роста на распределение температуры и основных компонентов в паровой фазе, а также радиальный профиль скорости роста монокристалла для различных стадий процесса выращивания.
  1. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 52, 146 (1981)
  2. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. In: Crystal Growth and Characterization of Polytype Structures, ed. by P. Krishna (Oxford--N.Y.--Toronto--Sydney--Paris--Frankfurt, Pergamon Press, 1983) v. 7. p. 111
  3. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. In: Growth and Defect Structures (в сер.: Crystals. Growth, Properties, and Applications) ed. by H.C. Freyhardt (Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokio, Springer Verlag, 1984). v. 10. p. 1
  4. D. Hofmann, M. Heinze, A. Winnacker, F. Durst, L. Kadinski et al. J. Cryst. Growth, 146, 214 (1995)
  5. Ф. Райхель, Ю.М. Таиров, М.Г. Траваджян, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 16, 1011 (1980)
  6. J. Drowart, G. De Maria. Silicon Carbige --- a High Temperature Semiconductor (N.Y., Pergamon Press, 1960) p. 16.
  7. Ю.М. Таиров, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 13, 1606 (1976)
  8. Б.П. Герасимов, А.В. Лесуновский, В.В. Митин, Т.А. Борисова, Д.Я. Ровенский. В. сб.: Численные методы, под ред. А.А. Самарского (М., Наука, 1989) с. 112
  9. Ю.М. Таиров, В.А. Таранец, В.Ф. Цветков. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 9 (1979)
  10. S.K. Lilov, Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 46, 269 (1979)
  11. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теоретическая физика. Гидродинамика (М., Наука, 1988) т. VI
  12. Gas Encyclopaedia (Elsevier, 1976)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.