"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Эффект Френкеля--Пула для примеси бора в кремнии в сильных греющих электрических полях
Козлов А.М.1, Рыльков В.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 23 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.

Развит метод исследования эффекта Френкеля--Пула, основанный на измерении термостимулированной проводимости слабо компенсированного полупроводника, легированного глубокой примесью, в котором также содержится более мелкая, чем основная, сопутствующая примесь. Приводятся результаты исследования термоситмулированной проводимости образцов Si : Ga с концентрацией галлия NA=(2-3)·1018 см-3 и низким содержанием сопутствующей примеси (=<1013 см-3). Проводимость измерялась после примесного фотовозбуждения образцов при нагреве их со скоростью beta=0.6 K/с в диапазоне температур T=4.2/24 K в электрических полях E=200/1000 В/см. Показано, что максимум на кривых термостимулированной проводимости обусловлен термостимулированным опустошением сопутствующей примеси бора и сдвигается в область более низких значений T с увеличением поля E. По сдвигу максимума найденное уменьшение энергии ионизации примеси B в электрическом поле, которое оказывается несколько слабее, чем следует из модели Френкеля--Пула для однозарядных кулоновских центров.
  1. T.E. Hartman, J.C. Blair, R. Bauer. J. Appl. Phys., 37, 2468 (1966)
  2. А.Г. Дмитриев, Д.Н. Наследов, Б.В. Царенков. ФТП, 6, 345 (1972)
  3. G.A.N. Connel, D.L. Camphausen, W. Paul. Phil. Mag., 26, 541 (1972)
  4. S.D. Ganichev, J. Diener, L.M. Yassievich, W. Preitl. Europhys. Lett., 29, 315 (1995)
  5. Н.Г. Жданов, М.С. Каган, Е.Г. Ландсберг, Л.В. Левкин, В.В. Петрищев. Письма ЖЭТФ, 62, 108 (1995)
  6. Ж. Леотин, В.В. Рыльков. ФТП, 30, 9 (1996)
  7. Э.Э. Годик. Автореф. докт. дис. (М., 1980)
  8. В.М. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 3 (1978)
  9. R. Chen, Y. Kirsh. Analysis of thermally stimulated processes (Pergamon, 1981)
  10. Ю.А. Гурвич, А.Р. Мельников, А.Н. Шестаков, Е.М. Гершензон. Письма ЖЭТФ, 61, 717 (1995)
  11. Р.А. Смит. Полупроводники (М., Мир, 1982)
  12. В.Н. Абакумов, П.М. Крещук, И.Н. Яссиевич. ФТП, 12, 264 (1978)
  13. P.A. Martin, B.G. Streetman, K. Hess. J. Appl. Phys., 52, 7209 (1981)
  14. Т.М. Лифшиц. ПТЭ, N 1, 10 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.