Развит метод исследования эффекта Френкеля-Пула, основанный на измерении термостимулированной проводимости слабо компенсированного полупроводника, легированного глубокой примесью, в котором также содержится более мелкая, чем основная, сопутствующая примесь. Приводятся результаты исследования термоситмулированной проводимости образцов Si : Ga с концентрацией галлия N_A=(2-3)·10¹⁸ см^-3 и низким содержанием сопутствующей примеси (=<10¹³ см^-3). Проводимость измерялась после примесного фотовозбуждения образцов при нагреве их со скоростью beta=0.6 K/с в диапазоне температур T=4.2/24 K в электрических полях E=200/1000 В/см. Показано, что максимум на кривых термостимулированной проводимости обусловлен термостимулированным опустошением сопутствующей примеси бора и сдвигается в область более низких значений T с увеличением поля E. По сдвигу максимума найденное уменьшение энергии ионизации примеси B в электрическом поле, которое оказывается несколько слабее, чем следует из модели Френкеля-Пула для однозарядных кулоновских центров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.