"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование пористого кремния и его старения методами полного внешнего отражения рентгеновских лучей и инфракрасной спектроскопии
Балагуров Л.А.1, Павлов В.Ф.1, Петрова Е.А.1, Боронина Г.П.1
1Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 20 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.

Пористый кремний p-типа впервые исследован методом рентгеновской рефлектометрии. Для него критический угол полного внешнего отражения и коэффициент отражения в области углов, меньших критического, значительно меньше, чем для c-Si выращенного по методу Чохральского. Критический угол уменьшается при увеличении пористости. Критический угол и коэффициент отражения увеличиваются в процессе старения пористого кремния. Результаты объясняются значительно меньшей электронной плотностью пористого кремния по сравнению с c-Si и микрогеометрией его поверхности, а также их изменением в процессе старения из-за увеличения в нем концентрации атмосферных составляющих, наблюдаемых по инфракрасным спектрам поглощения. Концентрация атмосферных примесей увеличивается при возрастании пористости, причем в сильно пористом материале существенный вклад помимо химически адсорбированного кислорода, по-видимому, дают углерод и вода.
  1. W. Lang, P. Steiner, F. Kozlowski, J. Luminecs., 57, 341 (1993)
  2. J.P. Zheng, K.L. Jiao, W.P. Shen, W.A. Anderson, H.S. Kwok. Appl. Phys. Lett., 61, 459 (1992)
  3. L.T. Canham, M.R. Houlton, W.Y. Leong, C. Pickering, J.M. Keen. J. Appl. Phys., 70, 422 (1991)
  4. Р. Джеймс. Оптические принципы диффракции рентгеновских лучей (М., ИЛ, 1950)
  5. D.E. Aspnes, J.B. Theeten. J. Appl. Phys., 50, 4928 (1979)
  6. C. Pickering, M.I.J. Beale, D.J. Robbins, P.J. Pearson, R. Greef. Phys. C: Sol. St. Phys., 17, 6535 (1984)
  7. A. Borghesi, A. Sassella, B. Pivac, L. Pavesi. Sol. St. Commun., 87, 1 (1993)
  8. K.H. Beckman. Surf. Sci., 3, 314 (1965)
  9. E.C. Freeman, W. Paul. Phys. Rev. B, 20, 716 (1979)
  10. G. Lucovsky, S.S. Chao, J. Yang, J.E. Tyler, W. Czubatyj. Phys. Rev. B, 28, 3225 (1983)
  11. Handbook of Semiconductor Silicon Technology, ed. by W.C. O'Mara, R.B. Herring, L.P. Hunt (New Jersey, Noyes Publication, 1990)
  12. М.А. Андреева, С.Ф. Борисова, С.А. Степанов. Поверхность, N 4, 5 (1985)
  13. В.М. Синайский, В.И. Сиденко. ПТЭ N 6, 5 (1974)
  14. Л.А. Смирнов, С.Б. Анохин. Оптика и спектроскопия, 48, 574 (1980)
  15. Y. Morin, L. Saviot, B. Champagnon, C. Esnouf, A. Halimaout. Thin Sol. Films, 255, 188 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.