"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Совместная имплантация кремния и фосфора в нелегированную и легированную индием подложки GaAs
Дымова Н.Н.1, Куницын А.Е.2, Марков А.В.3, Чалдышев В.В.2
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Государственный институт редкометаллической промышленности, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 24 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1997 г.

Исследованы электрические свойства и низкотемпературная (4.2 K) фотолюминесценция сильнолегированных слоев n-типа проводимости, полученных имплантацией ионов кремния и кремния совместно с фосфором в нелегированные и легированные индием полуизолирующие подложкир GaAs, выращенные методом Чохральского. Показано, что совместная имплантация Si + P приводит к подавлению глубоких уровней в анионной подрешетке, увеличивает степень активации доноров и позволяет получить более резкий профиль распределения внедренной примеси в подложках обоих типов. Использование подложек GaAs, легированных изовалентной примесью In, не сказывается на степени активации доноров, но способствует отжигу радиационных дефектов.
  1. F. Hyuga, H. Yamazaki, K. Watanabe, J. Osaka. J. Appl. Phys., 50, 1592 (1987)
  2. В.С. Абрамов, И.П. Акимченко, В.А. Дравин, Н.Н. Дымова, В.В. Краснопевцев, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 25, 1355 (1991)
  3. M.G. Milvidskii, V.B. Osvenskii, S.S. Shifrin. J. Cryst. Growth, 52, 396 (1981)
  4. Ю.Ф. Бирюлин, Н.В. Ганина, М.Г. Мильвидский, В.В. Чалдышев, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 17, 108 (1983)
  5. V.V. Chaldyshev, E.V. Astrova, A.A. Lebedev, I.A. Bobrovnikova, N.A. Chernov, O.M. Ivleva, L.G. Lavrentieva, I.V. Teterkina, M.D. Vilisova. J. Cryst. Growth, 146, 246 (1995)
  6. A.A. Bergh, P.J. Dean. Light-emitting Diodes (Charendon Press, Oxford, 1976)
  7. A.A. Gutkin, N.S. Averkiev, M.A. Reshchikov, V.E. Sedov. Materials Science Forum, 196, 231 (1995)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.