Вышедшие номера
О барьере Шоттки на контакте металла с карбидом кремния
Давыдов С.Ю.1, Лебедев А.А.1, Тихонов С.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.

Предлагается простая модель контакта металл-полупроводник. Предполагается, что барьер Шоттки формируется состояниями дефектов, локализованными на границе раздела. Проанализированы экспериментальные данные по системам <металл (Au, Cr, Mo и Al)>-<гексагональный карбид кремния (6H-SiC)>, где SiC имеет n-тип проводимости.